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          單片開關(guān)電源高頻變壓器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          作者: 時(shí)間:2011-02-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:高頻變壓器是單片開關(guān)電源的核心部件,鑒于這種高頻變壓器在設(shè)計(jì)上有其特殊性,為此專門闡述降低其損耗及抑制音頻噪聲的方法,可供高頻變壓器設(shè)計(jì)人員參考。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179709.htm

          關(guān)鍵詞:單片開關(guān)電源;高頻變壓器;損耗;音頻噪聲;抑制

           

          1 引言

          單片開關(guān)電源集成電路具有高集成度、高性價(jià)比、最簡外圍電路、最佳性能指標(biāo)等優(yōu)點(diǎn),能構(gòu)成高效率無工頻變壓器的隔離式開關(guān)電源。在1994~2001年,國際上陸續(xù)推出了TOPSwitch、TOPSwitch-Ⅱ、TOPSwitch-FX、TOPSwitch-GX、TinySwitch、TinySwitch-Ⅱ等多種系列的單片開關(guān)電源產(chǎn)品,現(xiàn)已成為開發(fā)中、小功率開關(guān)電源、精密開關(guān)電源及開關(guān)電源模塊的優(yōu)選集成電路。

          高頻變壓器是開關(guān)電源中進(jìn)行能量儲存與傳輸?shù)闹匾考瑔纹_關(guān)電源中高頻變壓器性能的優(yōu)劣,不僅對電源效率有較大的影響,而且直接關(guān)系到電源的其它技術(shù)指標(biāo)和電磁兼容性(EMC)。為此,一個(gè)高效率高頻變壓器應(yīng)具備直流損耗和交流損耗低、漏感小、繞組本身的分布電容及各繞組之間的耦合電容要小等條件。下面介紹其設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

          2 降低高頻變壓器損耗

          2.1 直流損耗

          高頻變壓器的直流損耗是由線圈的銅損耗造成的。為提高效率,應(yīng)盡量選擇較粗的導(dǎo)線,并取電流密度J=4~10A/mm2。

          2.2 交流損耗

          高頻變壓器的交流損耗是由高頻電流的趨膚效應(yīng)以及磁芯的損耗引起的。高頻電流通過導(dǎo)線時(shí)總是趨向于從表面流過,這會(huì)使導(dǎo)線的有效流通面積減小,并使導(dǎo)線的交流等效阻抗遠(yuǎn)高于銅電阻。高頻電流對導(dǎo)體的穿透能力與開關(guān)頻率的平方根成反比,為減小交流銅阻抗,導(dǎo)線半徑不得超過高頻電流可達(dá)深度的2倍??晒┻x用的導(dǎo)線線徑與開關(guān)頻率的關(guān)系曲線如圖1所示。舉例說明,當(dāng)f=100kHz時(shí),導(dǎo)線直徑理論上可取φ0.4mm。但為了減小趨膚效應(yīng),實(shí)際可用更細(xì)的導(dǎo)線多股并繞,而不用一根粗導(dǎo)線繞制。

          圖1 導(dǎo)線線徑與開關(guān)頻率的關(guān)系曲線

          高頻變壓器的磁芯損耗也使得電源效率降低。其交流磁通密度可用下式進(jìn)行估算:

          BAC=(0.4πNPIPKRP)/2δ

          式中:BAC為交流磁通密度,單位是T;

          NPIP分別為初級匝數(shù)和初級峰值電流;

          KRP為初級脈動(dòng)電流與峰值電流之比;

          δ為磁芯的氣隙寬度,單位是cm。

          欲設(shè)計(jì)在連續(xù)模式下工作的高頻變壓器,BAC的典型值約為0.04~0.075T。鐵氧體磁芯在100kHz時(shí)的損耗應(yīng)低于50mW/cm3

          3 減小高頻變壓器的漏感

          在設(shè)計(jì)高頻變壓器時(shí)必須把漏感減至最小。因?yàn)槁└杏?,產(chǎn)生的尖峰電壓幅度愈高,漏極鉗位電路的損耗就愈大,這必然導(dǎo)致電源效率降低。對于一個(gè)符合絕緣及安全性標(biāo)準(zhǔn)的高頻變壓器,其漏感量應(yīng)為次級開路時(shí)初級電感量的1%~3%。要想達(dá)到1%以下的指標(biāo),在制造工藝上將難于實(shí)現(xiàn)。減小漏感時(shí)可采取以下措施:

          1)減小初級繞組的匝數(shù)NP;

          2)增大繞組的寬度(例如選EE型磁芯,以增加骨架寬度b);

          3)增加繞組的高、寬比;

          4)減小各繞組之間的絕緣層;

          5)增加繞組之間的耦合程度。

          3.1 減小初級繞組匝數(shù)并增加高與寬之比

          挑選合適的磁芯形狀,并且減小初級匝數(shù)和增加高與寬之比,能有效地降低漏感。漏感量與初級匝數(shù)的平方成正比。所選磁芯尺寸應(yīng)足夠大,使初級繞組能繞成2層甚至不到2層,這樣可將初級漏感與分布電容減至最小。不要使用矮胖窗口的磁芯,因其尺寸大,高與寬比值較小、漏感量大,而不宜采用,它對應(yīng)于POT、RM、PQ型和部分E型磁芯。建議采用瘦高型磁芯,這種磁芯具有較大的高、寬比,它對應(yīng)于EE、ETD、EI、EC型磁芯。


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