IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)

4 IGBT的驅(qū)動電路

IGBT的驅(qū)動電路必須具備2個功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。

圖3為采用光耦合器等分立元器件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路。當(dāng)輸入控制信號時，光耦VLC導(dǎo)通，晶體管V₂截止，V₃導(dǎo)通輸出＋15V驅(qū)動電壓。當(dāng)輸入控制信號為零時，VLC截止，V₂、V₄導(dǎo)通，輸出－10V電壓。＋15V和－10V電源需靠近驅(qū)動電路，驅(qū)動電路輸出端及電源地端至IGBT柵極和發(fā)射極的引線應(yīng)采用雙絞線，長度最好不超過0.5m。

圖 3 由 分 立 元 器 件 構(gòu) 成 的 IGBT驅(qū) 動 電 路

圖4為由集成電路TLP250構(gòu)成的驅(qū)動器。TLP250內(nèi)置光耦的隔離電壓可達2500V，上升和下降時間均小于0.5μs，輸出電流達0.5A，可直接驅(qū)動50A/1200V以內(nèi)的IGBT。外加推挽放大晶體管后，可驅(qū)動電流容量更大的IGBT。TLP250構(gòu)成的驅(qū)動器體積小，價格便宜，是不帶過流保護的IGBT驅(qū)動器中較理想的選擇。

圖4 由 集 成 電 路TLP250構(gòu) 成 的 驅(qū) 動 器

5 IGBT的過流保護

IGBT的過流保護電路可分為2類：一類是低倍數(shù)的（1.2～1.5倍）的過載保護；一類是高倍數(shù)（可達8～10倍）的短路保護。

對于過載保護不必快速響應(yīng)，可采用集中式保護，即檢測輸入端或直流環(huán)節(jié)的總電流，當(dāng)此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，封鎖所有IGBT驅(qū)動器的輸入脈沖，使輸出電流降為零。這種過載電流保護，一旦動作后，要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。

IGBT能承受很短時間的短路電流，能承受短路電流的時間與該IGBT的導(dǎo)通飽和壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許承受的短路時間小于5μs，而飽和壓降3V的IGBT允許承受的短路時間可達15μs，4～5V時可達30μs以上。存在以上關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方加大，造成承受短路的時間迅速減小。

通常采取的保護措施有軟關(guān)斷和降柵壓2種。軟關(guān)斷指在過流和短路時，直接關(guān)斷IGBT。但是，軟關(guān)斷抗騷擾能力差，一旦檢測到過流信號就關(guān)斷，很容易發(fā)生誤動作。為增加保護電路的抗騷擾能力，可在故障信號與啟動保護電路之間加一延時，不過故障電流會在這個延時內(nèi)急劇上升，大大增加了功率損耗，同時還會導(dǎo)致器件的di/dt增大。所以往往是保護電路啟動了，器件仍然壞了。

降柵壓旨在檢測到器件過流時，馬上降低柵壓，但器件仍維持導(dǎo)通。降柵壓后設(shè)有固定延時，故障電流在這一延時期內(nèi)被限制在一較小值，則降低了故障時器件的功耗，延長了器件抗短路的時間，而且能夠降低器件關(guān)斷時的di/dt，對器件保護十分有利。若延時后故障信號依然存在，則關(guān)斷器件，若故障信號消失，驅(qū)動電路可自動恢復(fù)正常的工作狀態(tài)，因而大大增強了抗騷擾能力。

上述降柵壓的方法只考慮了柵壓與短路電流大小的關(guān)系，而在實際過程中，降柵壓的速度也是一個重要因素，它直接決定了故障電流下降的di/dt。慢降柵壓技術(shù)就是通過限制降柵壓的速度來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的dv/dt和u_ce的峰值。圖5給出了實現(xiàn)慢降柵壓的具體電路。

圖5 實現(xiàn)慢降柵壓的電路