寄存器傳輸級的低功耗設計方法
除了芯片的速度和面積等,人們對低功耗的期望也越來越高,因而在IC設計中加入低功耗設計非常必要。寄存器傳輸級的低功耗設計對降低整個芯片的功耗作用非常顯著,本文討論的三種寄存器傳輸級低功耗設計方法,經(jīng)驗證對動態(tài)功耗的降低很有效。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179809.htm 自集成電路問世以來,設計者在單個芯片上集成的晶體管的數(shù)量呈現(xiàn)出令人驚訝的增長速度。近30年,集成電路的發(fā)展一直遵循著“摩爾定律”:集成在芯片上的晶體管的數(shù)量每18個月就翻一番,芯片成本也相應下降。
圖1:CMOS電路功耗的主要來源是動態(tài)功耗,
由開關電流和短路電流造成。
在半導體工藝水平不斷進步的同時,以電池供電的手持設備和膝上電腦也迅速普及,系統(tǒng)的功耗有時已經(jīng)成為系統(tǒng)設計首要考慮的因素,因此,低功耗設計成為發(fā)展移動系統(tǒng)必然要解決的問題。
集成電路的低功耗設計分為系統(tǒng)級、寄存器傳輸級、門級、電路級四個層次,而在這其中,寄存器傳輸級的低功耗設計對優(yōu)化整個系統(tǒng)功耗的貢獻達到20%-50%,這是非常巨大的比例。因而,在寄存器傳輸級進行低功耗設計是非常值得,也是很有必要的。
集成電路中功耗的來源
目前,CMOS工藝在集成電路特別是數(shù)字IC中應用得很普遍。由于CMOS電路在輸入穩(wěn)定的時候總有一個管子截止,所以它的靜態(tài)功耗在理想情況下應該是零,但這并不代表靜態(tài)功耗真的為零,實際上CMOS電路的靜態(tài)功耗就是指電路中的漏電流(這里不考慮亞閾值電流)。
CMOS電路功耗的主要來源是動態(tài)功耗,它由兩部分組成:開關電流和短路電流。
所以,整個CMOS電路的功耗為:
P=PTurn+Pleakage+Pshort
評論