微型電感器的簡(jiǎn)化模式設(shè)計(jì)

摘要：

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/179890.htm

考慮了制作微型電感器時(shí)可能的構(gòu)造，通過(guò)控制坡莫合金磁心的各向異性或者圖樣的準(zhǔn)分布間隙，用其調(diào)節(jié)磁導(dǎo)率來(lái)達(dá)到要求的電感量值。

1引言

最近，許多文獻(xiàn)中提出了采用薄膜磁性材料制造微型變壓器的方法，使人們看到了有望采用微制造技術(shù)使功率變換器實(shí)現(xiàn)微型化。采用薄膜微制造技術(shù)能夠制造極其精細(xì)的圖樣結(jié)構(gòu)，使其控制渦流損耗，從而可以在20MHz以下采用金屬磁性合金。金屬磁性合金一般具有較高的磁通密度、較低的磁滯損耗，通過(guò)設(shè)計(jì)及專門的優(yōu)化，可以達(dá)到很高的效率和較高的功率密度。圖1中示出了針對(duì)分布或準(zhǔn)分布間隙電感器的一種設(shè)計(jì)方法，這種電感器可以用于功率變換電路中。選擇脈寬調(diào)制（PWM）降壓變換器作為說(shuō)明的例子，其計(jì)算方法也可用在其他變換器結(jié)構(gòu)中。

2簡(jiǎn)化模式的定義

　　首先分析端匝，其橫向?qū)挾萐lat需靠近磁心，匝間的橫向間隔St可以忽略（見(jiàn)圖1）。第一步，計(jì)算出單位面積的損耗和控制的功率。假設(shè)窗口區(qū)的磁場(chǎng)為水平方向，這樣，在繞組中的交流損耗可以用一維分析來(lái)估算，只要根據(jù)導(dǎo)體高度hc和穿透深度δe間的比例進(jìn)行。可以用交流電阻因子Fr（hc/δc）=Rac/Rdc來(lái)描述。對(duì)電流波形，可以用傅里葉表達(dá)式，對(duì)于每個(gè)重要諧波K，估算Frk因子。

　　如果采用各向異性NiFe合金作磁心，主磁通往往可以參照無(wú)滯后的磁化軸方向?？刂茰u流損耗，把疊層磁心淀積成多層膜。對(duì)每層和每個(gè)磁通密度波形的重要諧波進(jìn)行損耗估算，并加在一起。作這種估算時(shí)，假設(shè)磁通密度與各層是平行的。

3簡(jiǎn)化模式的磁心優(yōu)化

圖1平面電感器近似設(shè)計(jì)法的示意圖（a）和頂視圖（b）

　　可以參考降壓變壓器應(yīng)用的設(shè)計(jì)技術(shù)條件，選擇：輸入電壓Uin，輸出電壓Uo，直流輸出峰－峰紋波電流Idc，r=△Ipp/Idc，開(kāi)關(guān)頻率ω=2πf。

　　根據(jù)后敘式（9），繞組中的功率損耗可以借助于增加導(dǎo)體高度hc而減小。不過(guò)，這種改善是忽略了導(dǎo)體大于2倍穿透深度。作近似分析時(shí)，hc可以選擇大約1～2個(gè)穿透深度。對(duì)忽略的因素進(jìn)行考慮時(shí)，可使hc更精確的優(yōu)化。對(duì)于磁心中的功率損耗，層數(shù)N的增加幾乎可以忽略?？紤]制造成本，應(yīng)當(dāng)優(yōu)化N，在此，假設(shè)某一個(gè)層數(shù)。這樣磁心的高度可以對(duì)最大功率密度予以調(diào)節(jié)，得出（例如，對(duì)該降壓變換器應(yīng)用）表達(dá)式

　　式中，A為“有效的”器件區(qū)域，ρs和ρc分別表示磁心和導(dǎo)體的電阻率，D是變換器的占空比，Kcore是計(jì)量磁心中諧波損耗的因子，而|a1|=2sin（Dπ）/[π2D（1－D）]是電流波形的第一個(gè)傅里葉系數(shù)?？勺兊腂pk為交流磁通密度峰－峰值的一半。對(duì)于最佳設(shè)計(jì)，總的磁通密度峰值應(yīng)接近（或等于）飽和量級(jí)Bsat。因此選擇Bpk=Bsat/（1＋2/r），這樣使Bdc＋Bpr=Bsat，對(duì)最大功率密度的表達(dá)式（1）作為給定系數(shù)的函數(shù)。

表1對(duì)5MHz零電壓開(kāi)關(guān)降壓變換器的電感器設(shè)計(jì)實(shí)例。