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          三電平IGBT功率模塊

          作者: 時間:2011-01-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          為了使設(shè)計更加容易并且確保器件在應(yīng)用中具有更高的裕量,這些模塊采用了增強型IGBT和二極管芯片,耐壓達(dá)到650V。這些新的芯片與眾所周知的600V IGBT3器件一樣,具有相同的導(dǎo)通特性和開關(guān)特性;而且可靠性也沒有發(fā)生改變(如SOA、RBSOA、SCSOA)。這些通過最新的IGBT和二極管終端結(jié)構(gòu)的開發(fā)得以實現(xiàn),并確保了超薄的70?m芯片厚度不發(fā)生改變。因此,650V IGBT的集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE_SAT在25°C仍然保持在極低的1.45V水平(150°C時為1.70V)。器件的開關(guān)損耗較低,當(dāng)開關(guān)頻率為16kHz時,損耗僅占逆變器總損耗的三分之一。此外,該IGBT還具備非常平滑的電流拖尾特性,即使在惡劣的條件下,也不會造成電壓過沖。二極管的VF-Qrr 關(guān)系也作了優(yōu)化,正向壓降極在25°C條件下為1.55V((150°C時為1.45V),并保持器軟關(guān)斷特性。

          設(shè)計三電平拓?fù)涞腎GBT驅(qū)動所面臨的挑戰(zhàn)


          在中、小功率的三電平NPC拓?fù)鋺?yīng)用中,為了使系統(tǒng)性能發(fā)揮到最佳,對IGBT的驅(qū)動提出了一些具體要求。


          較高的開關(guān)頻率 由于開關(guān)頻率范圍從16kHz到30kHz,驅(qū)動器必須為每個IGBT提供一致并且較小的傳輸延遲時間,以便減小死區(qū)時間。由于650V器件具備快速的開關(guān)速度,因此死區(qū)時間主要取決于驅(qū)動器的傳輸延遲時間的變化。如果死區(qū)時間相對于開關(guān)周期過長,會導(dǎo)致逆變器的輸出非線性,從而為控制算法帶來多個更多的挑戰(zhàn)。


          拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu) 盡管這些器件的耐壓電壓僅為600V或650V,但驅(qū)動器的隔離要求卻與1200V相同。由于驅(qū)動電路數(shù)量增加一倍,因此必須采用適用于該驅(qū)動器的設(shè)計,并且要求其電源具備數(shù)量較少的組件和較小的PCB空間。驅(qū)動電路的保護(hù)特性如短路檢測和欠壓鎖定等必須與三電平NPC拓?fù)淦ヅ?。首先關(guān)斷一個內(nèi)部的IGBT(圖1中的T2、T3),會使得母線電壓完全施加到這個器件上,由于超過了器件SCSOA或RBSOA區(qū)域,將導(dǎo)致器件立即失效。


          運用EiceDRIVER系列全新的集成IGBT驅(qū)動技術(shù),可輕松地滿足這些要求:

          * 集成的微變壓器技術(shù)提供基本的絕緣功能,其絕緣電壓高達(dá)1420 Vpeak。

          * 集成的有源米勒箝位功能可以采用單電源來實現(xiàn),這種驅(qū)動器在即便在較高開關(guān)速度條件下也不會有寄生導(dǎo)通風(fēng)險[8]。

          * 相對于傳統(tǒng)采用光電耦合的驅(qū)動器技術(shù),這種微型變壓器技術(shù),可大幅降低傳輸延遲的時間和相互之間的偏差。

          * 集成的Vcesat保護(hù)功能也可用于外側(cè)開關(guān),但對于內(nèi)側(cè)的IGBT該功能需要屏蔽掉。


          實驗試驗結(jié)果


          這部分將介紹采用EasyPACK 2B 三電平模塊的開關(guān)波形。在這個電路中,IGBT的IGBT柵極驅(qū)動了1ED020I12-F的驅(qū)動芯片。采用電流互感器在直流母線的正端DC+或DC-來進(jìn)行測量電流。


          圖4. 短換流的開關(guān)波形(峰值電壓為550 V,電壓仍在允許范圍之內(nèi)。)


          短換流回路 圖4 顯示的是,在標(biāo)稱電流、400V直流母線電壓和25°C結(jié)溫條件下的短換流情況的開關(guān)波形。


          圖5 長換流的開關(guān)波形(峰值電壓為580V。該電壓僅比短換流的峰值電壓高30V,仍然不超過650 V的擊穿電壓。)

          長換流回路 圖5 顯示了在相同條件下的長換流的開關(guān)波形

          首次試驗結(jié)果表明,由于將一個完整的三電平橋臂集成在一個模塊中,長換流幾乎可實現(xiàn)與短換流相同的開關(guān)性能。不過,要想在更大電流條件下,獲得足夠的裕量,仍需要進(jìn)一步降低電路的雜散電感。通過將多個電容器并聯(lián),并采用多層電路板來減小模塊和電容器之間的電流回路,可有效減小寄生電感。此外,必須要考慮的是,實際的應(yīng)用中在直流母線上是不會采用電流互感器的。在這里采用電流互感器會產(chǎn)生15nH的雜散電感,從而導(dǎo)致45V的過壓。

          結(jié)論

          通過將一個完整的三電平橋臂集成在一個模塊內(nèi)部,把器件耐壓從600V提高到650V,然后配上較高集成度的驅(qū)動解決方案,這種三電平NPC拓?fù)錇橹小⑿」β誓孀兤魅绺咝У腢PS、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案。


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