IGBT的一種驅(qū)動和過流保護電路的設(shè)計

　一 引言

　　絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點．是取代GTR的理想開關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當(dāng)，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題，就其工作原理進行分析，設(shè)計出具有過流保護功能的驅(qū)動電路，并進行了仿真研究。

　　二 IGBT的驅(qū)動要求和過流保護分析

　　1 IGBT的驅(qū)動

　　IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開通和關(guān)斷．其驅(qū)動電路必須滿足以下的條件：

　　IGBT的柵電容比VMOSFET大得多，所以要提高其開關(guān)速度，就要有合適的門極正反向偏置電壓和門極串聯(lián)電阻。

　?。?）門極電壓

　　任何情況下，開通狀態(tài)的柵極驅(qū)動電壓都不能超過參數(shù)表給出的限定值（一般為20v），最佳門極正向偏置電壓為15v土10％。這個值足夠令I(lǐng)GBT飽和導(dǎo)通；使導(dǎo)通損耗減至最小。雖然門極電壓為零就可使IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)，但是為了減小關(guān)斷時間，提高IGBT的耐壓、dv／dt耐量和抗干擾能力，一般在使IGBT處于阻斷狀態(tài)時．可在門極與源極之間加一個-5~-15v的反向電壓。

　?。?）門極串聯(lián)電阻心

　　選擇合適的門極串聯(lián)電阻Rg對IGBT的驅(qū)動相當(dāng)重要，Rg對開關(guān)損耗的影響見圖1。

　　圖1 Rg對開關(guān)損耗的影響

　　IGBT的輸入阻抗高壓達109~1011，靜態(tài)時不需要直流電流．只需要對輸入電容進行充放電的動態(tài)電流。其直流增益可達108~109，幾乎不消耗功率。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯(lián)電阻Rg，當(dāng)Rg增大時，會使IGBT的通斷時間延長，能耗增加；而減少RF又會使di／dt增高，可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)IGBT電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同，選擇合適的Rg，一般選心值為幾十歐姆至幾百歐姆。具體選擇Rg時．要參考器件的使用手冊。

　　（3）驅(qū)動功率的要求

　　IGBT的開關(guān)過程要消耗一定的來自驅(qū)動電源的功耗，門極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則電源的最少峰值電流為：

　　驅(qū)動電源的平均功率為：

　　一 引言

　　絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點．是取代GTR的理想開關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當(dāng)，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題，就其工作原理進行分析，設(shè)計出具有過流保護功能的驅(qū)動電路，并進行了仿真研究。

　　二 IGBT的驅(qū)動要求和過流保護分析

　　1 IGBT的驅(qū)動

　　IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開通和關(guān)斷．其驅(qū)動電路必須滿足以下的條件：

　　IGBT的柵電容比VMOSFET大得多，所以要提高其開關(guān)速度，就要有合適的門極正反向偏置電壓和門極串聯(lián)電阻。

　?。?）門極電壓

　　任何情況下，開通狀態(tài)的柵極驅(qū)動電壓都不能超過參數(shù)表給出的限定值（一般為20v），最佳門極正向偏置電壓為15v土10％。這個值足夠令I(lǐng)GBT飽和導(dǎo)通；使導(dǎo)通損耗減至最小。雖然門極電壓為零就可使IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)，但是為了減小關(guān)斷時間，提高IGBT的耐壓、dv／dt耐量和抗干擾能力，一般在使IGBT處于阻斷狀態(tài)時．可在門極與源極之間加一個-5~-15v的反向電壓。

　?。?）門極串聯(lián)電阻心

　　選擇合適的門極串聯(lián)電阻Rg對IGBT的驅(qū)動相當(dāng)重要，Rg對開關(guān)損耗的影響見圖1。

　　圖1 Rg對開關(guān)損耗的影響

　　IGBT的輸入阻抗高壓達109~1011，靜態(tài)時不需要直流電流．只需要對輸入電容進行充放電的動態(tài)電流。其直流增益可達108~109，幾乎不消耗功率。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯(lián)電阻Rg，當(dāng)Rg增大時，會使IGBT的通斷時間延長，能耗增加；而減少RF又會使di／dt增高，可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)IGBT電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同，選擇合適的Rg，一般選心值為幾十歐姆至幾百歐姆。具體選擇Rg時．要參考器件的使用手冊。

　　（3）驅(qū)動功率的要求

　　IGBT的開關(guān)過程要消耗一定的來自驅(qū)動電源的功耗，門極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則電源的最少峰值電流為：

　　驅(qū)動電源的平均功率為：

　　2 IGBT的過流保護

　　IGBT的過流保護就是當(dāng)上、下橋臂直通時，電源電壓幾乎全加在了開關(guān)管兩端，此時將產(chǎn)生很大的短路電流，IGBT飽和壓降越小，其電流就會越大，從而損壞器件。當(dāng)器件發(fā)生過流時，將短路電流及其關(guān)斷時的I—V運行軌跡限制在IGBT的短路安全工作區(qū)，用在損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來避免開關(guān)管的損壞。

　　3 IGBT的驅(qū)動和過流保護電路分析

　　根據(jù)以上的分析．本設(shè)計提出了一個具有過流保護功能的光耦隔離的IGBT驅(qū)動電路，如圖2。

　　圖2 IGBT驅(qū)動和過流保護電路

　　圖2中，高速光耦6N137實現(xiàn)輸入輸出信號的電氣隔離，能夠達到很好的電氣隔離，適合高頻應(yīng)用場合。驅(qū)動主電路采用推挽輸出方式，有效地降低了驅(qū)動電路的輸出阻抗，提高了驅(qū)動能力，使之適合于大功率IGBT的驅(qū)動，過流保護電路運用退集電極飽和原理，在發(fā)生過流時及時的關(guān)斷IGBT，其中V1．V3．V4構(gòu)成驅(qū)動脈沖放大電路。V1和R5構(gòu)成一個射極跟隨器，該射極跟隨器提供了一個快速的電流源，減少了功率管的開通和關(guān)斷時間。利用集電極退飽和原理，D1、R6、R7和V2構(gòu)成短路信號檢測電路．其中D1采用快速恢復(fù)二極管，為了防止IGBT關(guān)斷時其集電極上的高電壓竄入驅(qū)動電路。為了防止靜電使功率器件誤導(dǎo)通，在柵源之間并接雙向穩(wěn)壓管D3和D4。如是IGBT的門極串聯(lián)電阻。