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          LD0、QLDO、VLDO的設(shè)計(jì)原理及測(cè)試

          作者: 時(shí)間:2010-09-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/180506.htm

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            如圖4所示,典型產(chǎn)品為Analogic TECH公司的AAT3200。V的最大特點(diǎn)是采用P溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET來代替PNP型功率管作為調(diào)整管,MOSFET本身還帶保護(hù)二極管(VD)。P溝道MOSFET屬于電壓控制型器件,其柵極驅(qū)動(dòng)電流板小,而通態(tài)電阻非常低,通態(tài)壓降遠(yuǎn)低于雙極性晶體管的飽和壓降,這不僅能大大降低輸入-輸出壓差,還能在微封裝下輸出更大的電流。圖4中還給出了內(nèi)部過電流及過熱保護(hù)電路,RS為電流檢測(cè)電阻。

            

            一種改進(jìn)型如圖5所示。其主要特點(diǎn)是增加了輸出狀態(tài)自檢(POK)、延遲供電、電源關(guān)斷等功能。POK(Power OK)是表示“電源正常”的信號(hào)。一旦輸出電壓降低到使采樣電壓低于9l%UREF時(shí),比較器就輸出高電平,經(jīng)過l ms的延遲時(shí)間強(qiáng)迫POK MOSFET導(dǎo)通,從POK端輸出低電平(表示電源電壓過低),送至微處理器。當(dāng)輸出電壓恢復(fù)正F常叫,比較器輸出低電平,令POK MOSFET截止,POK端輸出為高電平,以此表示電源正常。POK MOSFET采用開漏極輸出結(jié)構(gòu),外部需經(jīng)過lO kΩ~l MΩ的上拉電阻接U0端。不用POK端時(shí)可接地或懸空。EN為使能控制端,當(dāng)EN端接低電半時(shí)將電源關(guān)斷。LDO進(jìn)入休眠狀態(tài),此時(shí)POK端 呈高阻態(tài)。利用延遲電路能避免因干擾而造成的誤動(dòng)作。

            



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