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          降壓轉(zhuǎn)換器輸入電容的正確選擇及設(shè)計(jì)測(cè)試

          作者: 時(shí)間:2010-08-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            雖然降壓一般是電路中最為重要的,但通常其并未得到人們足夠的重視。在滿足嚴(yán)格的紋波和噪聲要求時(shí),傳統(tǒng)電源方法過(guò)多地強(qiáng)調(diào)輸出和布局??蛻粼敢鉃楦咝阅懿考ㄥX,但就目前而言常常被忽略的電容,對(duì)于一種成功的降壓來(lái)說(shuō)更為重要。其高頻特性和布局將決定的成功與否。在和布局輸出電容方面,確實(shí)有更大的自由度。即便是在滿足輸出噪聲要求方面,和布局電容也很重要。輸入電容相關(guān)應(yīng)力比輸出電容相關(guān)應(yīng)力要更大,主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面。輸入電容會(huì)承受更高的電流變化率,其布局和選擇對(duì)限制主開關(guān)電壓應(yīng)力以及限制進(jìn)入系統(tǒng)的噪聲至關(guān)重要。另外,它更高的均方根 (RMS) 電流應(yīng)力和潛在的組件發(fā)熱使得這種選擇對(duì)整體可靠性而言更加重要。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/180552.htm

          電流的快速變化率

            應(yīng)力的第一個(gè)方面是快速電流變化率即dI/dT,其表現(xiàn)為所有內(nèi)部或雜散電感的電壓。這會(huì)給輸入電容供電運(yùn)行的開關(guān)或鉗位二極管帶來(lái)過(guò)電壓應(yīng)力,并將高頻噪聲輻射到系統(tǒng)中。高側(cè)降壓開關(guān)關(guān)閉時(shí)電流為零,開啟時(shí)為滿負(fù)載電流。輸入電容會(huì)承受一個(gè)從零到滿負(fù)載的方波電流?,F(xiàn)代 MOSFET 以及隨后旁路電容中的電流上升時(shí)間均為 5 ns 數(shù)量級(jí)。這種快速的電流變化率 (dI/dT),乘以總雜散電感 (L),在降壓開關(guān)上形成電壓尖峰。另一方面,輸出電容承受的是一種,經(jīng)輸出扼流圈平流并受扼流圈峰至峰電流限制的電流波形。一般而言,輸出扼流圈紋波電流被設(shè)計(jì)限定到滿負(fù)載電流的 40% 或更小的電流。 就 500 kHz、10% 占空比下運(yùn)行的降壓而言,其意味著 40% 負(fù)載電流的上升時(shí)間為 200 ns。也就是說(shuō),5 ns 上升 100% 比 200 ns 上升 40% 的電流變化率高 100 倍。就給定電感的電壓而言,情況也是如此。對(duì)一些高占空比或低輸出扼流圈紋波電流的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),這種比率遠(yuǎn)不止 100 倍。

          電容的 RMS 電流

            應(yīng)力的第二個(gè)方面是 RMS 電流。該電流的平方并乘以相關(guān)電容的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 后得出的結(jié)果是熱量。過(guò)熱會(huì)縮短組件壽命,甚至引發(fā)災(zāi)難性的故障。輸入電容的 RMS 電流等于負(fù)載電流乘以 (D*(1-D))的平方根,其中 D 為降壓開關(guān)的占空比。就 5-V 輸入和 1.2-V 輸出而言,D約為1/4,而 RMS 電流為 43% 輸出電流。同步整流的 12-V 輸入和 1-V 輸出情況下,D 約為 1/10,而 RMS 電流為輸出電流的 30%。另一方面,鋸齒形輸出電容電流的 RMS 電流等于電感的峰至峰紋波電流除以 √12。對(duì)于一種 40% 負(fù)載電流電感峰至峰紋波電流的降壓設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),輸出電容的 RMS 電流只是輸出電流的 12%,即比輸入電容電流小 2.5 倍。

          電容電感和 ESR

            表面貼裝陶瓷電容的一般封裝尺寸從 0603 到 1210(公制尺寸 1608 到3225)不等。通過(guò) AVX 應(yīng)用手冊(cè),我們知道電感一般為約 1 nH。就一般 2917(公制尺寸7343)封裝尺寸的芯片型鉭電容和電解質(zhì)電容而言,電感約為 4 到7 nH。其中,導(dǎo)線尺寸起了很重要的作用。1210 封裝尺寸、6.3-V 到 16-V 額定電壓陶瓷電容的 ESR 約為 1 到 2 mΩ。芯片型鉭電容具有一個(gè) 50 到 150 mΩ 的典型 ESR 范圍。這就決定了防止過(guò)熱的最大允許 RMS 電流。盡管 1210 封裝尺寸的陶瓷電容可應(yīng)對(duì) 3 A RMS,但是最佳鉭電容尺寸 1210 只能處理 0.5 A 的電流,而更大的 2917 尺寸則可以處理約 1.7 A 的電流。最近,一種多陽(yáng)極鉭電容已開始供貨,其電感和電阻降低了一半。

          設(shè)計(jì)考慮

            設(shè)計(jì)實(shí)例(請(qǐng)參見圖 1)所示電路顯示了一個(gè) 6 A 電流下 1.2V 到 12 V 輸入電壓的電路。它使用一個(gè)運(yùn)行在 300 kHz 的控制器(TPS40190)。用戶優(yōu)先考慮方面是低成本和簡(jiǎn)單的材料清單 (BOM)。輸入和輸出電容的給定標(biāo)準(zhǔn)為 1210 封裝的 22-μF、16-V 陶瓷電容。這些電容可以處理 3 A RMS,并且發(fā)熱最小。就輸入電容而言,用戶一般不關(guān)注電壓紋波,而只關(guān)心電流是否過(guò)高。輸入電壓在其 5-V 最小值而占空比為 Vout / Vin 即 0.25 時(shí),出現(xiàn)極端情況。RMS 電流為 Iout×√(D× (1-D)),即 2.6 A。設(shè)計(jì)時(shí),輸出紋波電壓限制定在 20 mV 峰至峰 (pp) 以下。輸出電感值選定為 2.2 μH,以將峰至峰紋波電流限定為 1.8A,也即滿負(fù)載的 30%。低 ESR 和電感輸出電容的輸出紋波電壓 (Vpp) 為峰至峰電流 (Ipp) 除以輸出電容 (Cout) 乘以 2π 乘以開關(guān)頻率 (F),即Vpp = Ipp/(2π×F×Cout)。假設(shè)一個(gè) Vout 正常值 80% 的電容占 20% 的容差,則需要三個(gè)電容。

          重點(diǎn)與討論

            峰值-峰值輸入紋波電壓約為 200 mV(請(qǐng)參見圖 3),比輸出紋波電壓(請(qǐng)參見圖 2)大 10 倍。如果使用三個(gè)輸入電容而非一個(gè),則輸入紋波電壓仍然比輸出紋波電壓大 3 倍。一些客戶要求嚴(yán)格地將輸入紋波電壓控制在 100 mV 以下,由于系統(tǒng)噪聲問題,會(huì)要求使用三個(gè)輸入電容。另外,相比近正弦波輸出紋波,輸入電壓波形具有明顯得多的鋸齒形。因此,其高頻諧波更多。由于紋波要求一般以 20-MHz 帶寬測(cè)量設(shè)置作為標(biāo)準(zhǔn),所以并不能看見全部的電容雜散電感影響。

          2、13V 輸入和 6A 負(fù)載條件下輸出電容上形成的紋波 (5 mV/DIV)


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