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          一種低溫漂低功耗的簡易帶隙基準電壓設計

          作者: 時間:2010-07-07 來源:網(wǎng)絡 收藏
          模擬電路常常用到和電流。這些受電源、溫度或者工藝參數(shù)的影響很小,為電路提供一個相對穩(wěn)定的參考或者電流,從而保證整個模擬電路穩(wěn)定工作。目前已經(jīng)出現(xiàn)的高性能帶隙基準,能夠實現(xiàn)高精度、漂和低,但這些電路中一般都有運放,調試難度較大;電路結構復雜,原理不便理解。在一般的應用中,如果對帶隙基準的要求不是特別高的情況下,完全可以采用一種更為簡潔的電路結構。因此,這里介紹一種可行的帶隙基準電壓的,利用PTAT電壓和雙極性晶體管發(fā)射結電壓的不同的溫度特性,獲取一個與溫度無關的基準電壓。

          1 漂低帶隙基準電壓
          帶隙基準電壓的設計目標,就是建立一個與電源和溫度無關的直流電壓VREF。進一步將該目標分為2個設計問題:設計與電源無關的偏置,獲取能抵消溫度影響的電壓值。圖1為其整體設計框圖。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/180705.htm


          1.1 與電源無關的偏置
          首先設計與電源無關的偏置??紤]采用2個NMOS管和電阻做近似的電流鏡做偏置,并充分利用電流鏡的“電流復制”特點,設計一個簡單的電流產(chǎn)生電路,如圖2所示。在這個電路中,因為柵漏短接的MOS管都是由一個電流源驅動,所以I0和I1幾乎與電源電壓無關。同時,2條支路的電流關系是確定的,只要已知I0,便可由寬長比得到左邊支路電流的大小。忽略溝道長度調制效應的影響,支路電流的比值和MOS管寬長比的比值成正比。為了唯一確定電流,加入電阻R1。則有:VGS1=VGS2+I0R1,忽略體效應,有:

          由式(1)可見,輸出電流與電源電壓無關,但仍與工藝和溫度有關。


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