一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路
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2 仿真結果及分析
以下是對各部分電路進行仿真的結果，仿真工具是Candence Spectre，模型采用華潤上華公司的0．5μm的n阱CMOS工藝。
圖2是PTAT電流隨溫度變化曲線。仿真結果表明，該曲線線性度較好，符合PTAT電流特性。常溫下，在電源為5 V的情況下，功耗僅為0．4 mW。可見，其功耗非常低。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/181136.htm
圖3是在電源電壓為5 V時，VR和VQ隨溫度變化的曲線。圖中，VR上的電壓有一個小的階躍，是因為在比較器翻轉時由于正反饋的作用電流突然增大的結果。
圖4是溫度分別從0～150℃和150～0℃掃描時比較器輸出狀態(tài)的變化。由圖可見，當溫度由低到高上升至84．1℃時，電路輸出狀態(tài)由低電平翻轉成高電平，實現(xiàn)了芯片的過溫保護；只有當溫度回落到72℃時，電路才恢復原狀態(tài)，實現(xiàn)了約12℃的滯回溫度。改變圖1中R2的阻值可以調(diào)節(jié)溫度范圍，以滿足不同的需求。
3 結 語
為保證芯片在工作時不因溫度過高而被損壞，溫度保護電路是必須的。這里所設計的溫度保護電路對溫度靈敏性高，功耗低，其熱滯回功能能有效防止熱振蕩現(xiàn)象的發(fā)生，相比一般單獨使用晶體管BE結的溫度保護電路具有更高的靈敏度和精度，可廣泛用于各種功率芯片內(nèi)部。
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