一種新穎不帶電阻的基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)
對(duì)于NMOS晶體管M1和M2,其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2,那么圖3中電壓為:本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/181254.htm
如果利用前面提到的兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出電壓特性來(lái)控制兩個(gè)工作在飽和區(qū)的NMOS的柵極電壓Vgs1和Vgs2,使得:
式中:λ為比例常數(shù)。
將式(5)代入到式(3)可得:
對(duì)于參數(shù)KM1,它主要受晶體管遷移率λ的影響,通常被定義為:
式中:T為絕對(duì)溫度;α由工藝決定,典型值為1.5。將式(7)代人式(6)可得:
它為一個(gè)與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)。
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評(píng)論