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          一種新穎不帶電阻的基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2009-08-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          對(duì)于NMOS晶體管M1和M2,其柵源分別為Vgs1和Vgs2,那么圖3中為:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/181254.htm



          如果利用前面提到的兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出特性來(lái)控制兩個(gè)工作在飽和區(qū)的NMOS的柵極電壓Vgs1和Vgs2,使得:

          式中:λ為比例常數(shù)。

          將式(5)代入到式(3)可得:


          對(duì)于參數(shù)KM1,它主要受晶體管遷移率λ的影響,通常被定義為:


          式中:T為絕對(duì)溫度;α由工藝決定,典型值為1.5。將式(7)代人式(6)可得:

          它為一個(gè)與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)。

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