雙正激變換器軟開關拓撲的分析與評價
廣義軟開關,就是用有源或無源的無損吸收電路,使開關過程軟化,實現(xiàn)近似零電壓開通或近似零電流關斷,減少開關損耗,同時降低整流二極管的反向恢復損耗。它可以達到與傳統(tǒng)ZVT或ZCT軟開關幾乎相同的指標,但比傳統(tǒng)軟開關具有電路簡單,成本低廉,可靠性高的優(yōu)點。圖15所示是一種廣義軟開關-PWM雙正激變換器[17,18],原理簡述如下:主開關管S1、S2以及輔管Sa同時開通,回路中Lr限制了主開關管的電流上升率,減小了開通損耗。S1先關斷,變壓器電流對C1充電,C1上的電壓不能突變,因此S1電壓上升電壓斜率受到限制,關斷損耗減小。令Sa先于S2關斷,當S2關斷時,器電流對C2充電,和S1關斷情況相同,減小了S2的關斷損耗。該電路的特點是:變壓器和吸收電感的儲能可回饋給電源,輔管Sa可實現(xiàn)ZVS,S1、S2雖然不是零電壓開通,也不是零電流關斷,但是有源無損吸收電路有效地軟化了開關過程。但是吸收電路需增加輔助開關管,控制較復雜。
4. 不需輔助電路的軟開關拓撲
4.1 雙橋式ZVS雙正激組合變換器
圖16提出了一種雙橋式ZVS雙正激組合變換器[19],兩個雙正激變換器在原邊串聯(lián),共用一個高頻變壓器,通過移相控制,并利用變壓器漏感和勵磁電感實現(xiàn)開關管的零電壓開通。變壓器磁芯的雙象限磁化實現(xiàn)了輸入電容的自動均壓。該電路適用于高輸入、輸出電壓,大電流輸出的場合,但是通態(tài)損耗較大。
圖16 雙橋式ZVS雙正激變換器
4.2 ZVZCS PWM交錯并聯(lián)的雙正激組合變換器
文獻[20]提出了一種ZVZCS PWM并聯(lián)的雙正激組合變換器如圖17所示,副邊采用耦合的濾波電感以減小空載電流和環(huán)流電流,Ls1、Ls2是變壓器的副邊漏感。通過PWM控制,不需輔助電路就實現(xiàn)了S1、S2的ZVS和S3、S4的ZCS,減小了原邊和副邊的空載和環(huán)流電流,降低了通態(tài)損耗。它適合用于高壓輸入、IGBT做開關管的場合。
圖17 ZVZCS PWM交錯并聯(lián)的雙正激組合變換器
4.3 新型的ZVZCS雙正激組合變換器
文獻[21]提出了一種新型的ZVZCS PWM交錯并聯(lián)的雙正激組合變換器如圖18所示。兩個相同的雙正激變換器在原邊串聯(lián),采用一個帶兩個原邊繞組和兩個副邊繞組的高頻變壓器,采用PWM技術減少空載和環(huán)流電流,降低了導通損耗。在較寬的負載范圍內不需采用任何有源或無源輔助電路,由變壓器漏感電流實現(xiàn)了S1、S3的零電壓零電流開通、零電壓關斷,利用漏感電流和環(huán)流電流實現(xiàn)S2、S4的零電流開通、零電壓關斷。4個開關管類似全橋變換器工作,磁芯元件和濾波器體積都很小。該變換器的優(yōu)點是變壓器原邊側沒有環(huán)流存在,但是需要兩個相同的原邊繞組,銅損較大。此外S2、S4為零電流開通,用MOSFET作開關管時存在容性開通損耗。適用于高輸入電壓的大功率場合。
圖18新型的ZVZCS雙正激組合變換器
4.4 ZVS三電平雙正激組合變換器
文獻[22]提出了一種新型的ZVS三電平雙正激組合變換器,如圖19所示。它由兩個雙正激電路串聯(lián)構成,經(jīng)過一個有兩個原邊繞組的高頻變壓器實行隔離輸出。利用集成在高頻變壓器中的副邊漏感,通過PWM控制實現(xiàn)開關管的ZVS。該變換器的開關管所承受的電壓應力為輸入直流電壓的一半,因此適用于高電壓輸入場合。文獻最后給出了采用全波整流和倍流整流的ZVS三電平雙正激組合變換器拓撲。
圖19 ZVS三電平雙正激組合變換器
4.5 新型的ZVS雙正激組合變換器
文獻[23]提出了一種新型的ZVS雙正激組合變換器,如圖19所示。主電路原邊部分由交錯并聯(lián)的雙正激組合變換器簡化而來,原邊只用兩個續(xù)流二極管,電路結構簡單。而且采用變壓器的磁集成技術,高頻變壓器磁芯雙向磁化,提高了磁芯的利用率,進一步減小了體積,提高了變換器的功率密度。此外,該變換器還具有如下一些特點:
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