SG6849在單端反激式開關(guān)電源中的應(yīng)用
關(guān)鍵詞:SG6849;反激;副邊反饋
O 引言
開關(guān)電源因具有重量輕、體積小、效率高、穩(wěn)壓范圍寬等優(yōu)點,在電視、電聲、計算機等許多電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。為了進一步追求開關(guān)電源的小型化和低成本,人們不斷研制成功一些新的開關(guān)電源集成電路芯片。臺灣SG System General)公司開發(fā)的SG6849,集內(nèi)部振蕩器、比較器、反饋補償電路于一體,只需較少的外圍元器件,就可構(gòu)成一個電路結(jié)構(gòu)簡潔、成本低、性能穩(wěn)定、制作及調(diào)試方便的單端反激式開關(guān)電源。在負載調(diào)整率要求不高的情況下,甚至可去掉副邊反饋,進一步減少體積,節(jié)省成本。
1 SG6849芯片功能介紹
1.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及管腳功能
SG6849芯片是臺灣SG(System General)公司2004年底推出的SG684X系列PWM集成電路控制芯片。該芯片具有如下特點:不帶副邊反饋的恒壓和恒流控制;輕載時工作于省電模式;較低的啟動電流和較低的工作電流;65kHz和100kHz的固定頻率;較少的外圍元件;輸出過流保護、過溫保護和短路保護。該芯片采用S0T-26或DlP-8封裝形式,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示。下面就以DIP-8封裝為例,說明各管腳的功能。
腳l(GATE) 門極,用來驅(qū)動功率NOSFET。
腳2(VDD) 提供芯片的工作電壓,當不帶副邊反饋時,靠VDD來提供反饋信息,調(diào)整輸出電壓。
腳3、5、6(NC) 懸空。
腳4(SENSE) 過流保護。該引腳也可用于電流模式的PWM控制。
腳7(FB) 為PWM控制器的內(nèi)部比較器提供反饋信息,控制占空比;當不帶副邊反饋的時候,該引腳開路。
腳8(CND) 接地。
1.2 SG6849芯片工作原理
l.2.1 啟動電路
圖2是SG6849芯片輸入電壓Vin通過啟動電阻Rin對電容Cin充電,當VDD端的電壓達到啟動電壓VTH(on)時,SG6849芯片驅(qū)動整個功率部分工作。
當開關(guān)管導(dǎo)通后,VDD由輔助繞組供電,SG6849的導(dǎo)通-關(guān)斷電壓UVLO(under Voltage Lockout)分別為17V和8V。
l.2.2 恒壓工作方式
SG6849 可以不從副邊而從原邊反饋來調(diào)整輸出電壓,如圖3所示。
當FB端懸空時,內(nèi)部的VDD反饋比較器將調(diào)整PWM的輸出脈沖。內(nèi)部的反饋補償電路將使VDD電壓維持在22.7V。輸出電壓和VDD電壓值等于輔助繞組和副邊繞組的匝比,即
因為輔助繞組和二次側(cè)繞組之間的耦合關(guān)系,所以,輸出端的電壓變化可以通過輔助繞組反饋給VDD,通過SG6849的內(nèi)部比較,改變PWM的脈沖寬度,從而改變輸出占空比,使輸出電壓保持不變。
當然,如果要精確地控制輸出電壓,就需要副邊反饋電路,圖4是由集成電壓基準KA431和光耦組成的副邊反饋電路,R1和R2構(gòu)成輸出分壓電路,R3和C1為環(huán)路提供補償,為了提高穩(wěn)定性,在FB和地之間還接有一個較小的RC濾波電路。
當帶副邊反饋時,電壓VDD必須低于20V,否則,VDD的內(nèi)部反饋電路將作為負載而起作用。相對于不帶副邊反饋的電路,變壓器輔助繞組的匝數(shù)要相應(yīng)地減少。這樣,當副邊開路的時候,原邊的反饋電路就會起作用,防止VDD超過22.7V。
1.2.3 振蕩器和省電模式
SG3849-65是65kHz的固定額率,SG6849-100是100kHz的固定頻率,當輕載時,SC6849將處于省電模式,PWM的頻率隨負載變化而線性的減少,如圖5所示。FB端的電流大小決定了省電模式。當負載增大時,IFB會增大,當IFB大于0.8mA時,PWM頻率開始減小,省電模式可以減少重載時的功率損耗。為進一步減少功率損耗,當IFB大于1mA時,SG6849將處于觸發(fā)模式。
2 實驗
基于SG6849,我們設(shè)計了一個5.6W的反激式高頻開關(guān)電源,電路如圖6所示,該電源工作于電流連續(xù)模式,輸入電壓90~110V交流,輸出電壓16V,最大負載時輸出電流350mA。實驗結(jié)果如下。
2.1 當帶副邊反饋時
(1)電壓調(diào)整率在額定負載情況下,當輸入電壓在交流90~110V變化時,電路的電壓調(diào)整率為SV=△V/VO=0.7%;
(2)負載調(diào)整率當輸入額定電壓(AC100V),輸出電流在0~350mA變化時,電路的負載調(diào)整率為Si=△V/VO=l.2%;
(3)效率在額定輸入電壓帶額定負載的情況下,電路的效率η=83%;
(4)保護功能負載電流在525mA時過流保護,具備輸出短路保護和過溫保護功能。
2.2 去掉副邊反饋時
當去掉副邊反饋后:如圖6所示,輸入額定電壓(AC l00V),輸出電流在0~350 mA變化時,輸出電樂15.3~16.5V,電路的負載調(diào)整率為Si=△V/V0=4.4%。其他性能不變。
有無副邊反饋電路時輸出電壓隨負載的變化關(guān)系如圖7所示。
3 結(jié)語
實驗結(jié)果表明,用SG6849設(shè)計的單端反激式開關(guān)電源,外圍電路少,控制簡單,整機效率高,可靠性高。在電路只有單路輸出,輸出電流小,負載調(diào)整率要求不高的情況下,可去掉副邊反饋,進一步減少體積,節(jié)省成本,提高電路可靠性。
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