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          微功耗A32XX系列霍爾開關(guān)

          作者: 時(shí)間:2004-12-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          摘要:A32xx 型傳感器是美國Allegro Microsystems公司生產(chǎn)的微芯片,文中介紹了這種器件的特性原理和封裝形式,分析了A32xx器件的構(gòu)成原理和工作特性,給出了A32xx器件在低應(yīng)用時(shí)的限制條件。

          關(guān)鍵詞:霍爾開關(guān);微;低電壓;斬波調(diào)零;A32xx

          1 概述

          美國Allegro Microsystems公司生產(chǎn)有各種類型的磁敏感(霍爾)器件,其中A32xx是一組微功耗霍爾開關(guān)型傳感器。該系列有A3209、A3210、A3212等三種器件,它們的共同特點(diǎn)為工作電壓和功耗極低、不依賴于磁極,即任何磁極都能使其動作(開關(guān)導(dǎo)通)、超敏感、數(shù)字鎖存輸出等。特別適用于電池供電的手持設(shè)備,如手機(jī)、傳呼機(jī)、無繩電話、掌上電腦等。

          A32xx系列的2.5V~3.5V低工作電壓和內(nèi)部定時(shí)工作結(jié)構(gòu)降低了器件的平均功耗。A3209的功耗為400μW、A3210為25μW、A3212為15μW。該系列中各型號產(chǎn)品除了平均工作電流、磁靈敏性、工作時(shí)間和休眠時(shí)間比(以下稱忙閑比)有差異外,其它特性幾乎一樣。

          該產(chǎn)品通過斬波調(diào)零(動態(tài)消除失調(diào))技術(shù)來改善其穩(wěn)定性,從而使殘余失調(diào)電壓得以降低。這些失調(diào)電壓通常是由器件成型過程、溫度系數(shù)和熱應(yīng)力產(chǎn)生的。該產(chǎn)品在一個(gè)硅晶片上集成了霍爾電壓產(chǎn)生器、小信號放大器、斬波穩(wěn)零器、鎖存器和MOS-FET輸出驅(qū)動器。先進(jìn)的BiCMOS工藝使該產(chǎn)品具有低工作電壓、極低功耗、極低失調(diào)誤差和很小的幾何尺寸等特點(diǎn)。

          該產(chǎn)品有兩種封裝形式,一種是三腳貼片微小型封裝,后綴為“LH”,如圖1(a);另一種是三腳直插封裝,后綴為“UA”,如圖1(b)。

          2 低功耗特點(diǎn)

          A32xx系列產(chǎn)品內(nèi)部有一個(gè)定時(shí)電路,其作用是定時(shí)激活(也稱喚醒)霍爾傳感器以使其工作一段時(shí)間后,再定時(shí)使傳感器休眠一段時(shí)間。傳感器的工作時(shí)間加上休眠時(shí)間為一個(gè)定時(shí)周期,如圖2所示。傳感器的工作時(shí)間對不同的器件是不一樣的,A3209、A3210為60μs?A3212為45μs。定時(shí)周期對不同的器件也是不一樣的,其中A3209為480μs、A3210為60ms、A3212為 45ms。在短暫的喚醒時(shí)間內(nèi),傳感器進(jìn)行采樣測量并在定時(shí)脈沖的下降沿將數(shù)據(jù)鎖存。而在休眠時(shí)間內(nèi),器件的輸出為最近一次采樣的結(jié)果。該器件的電源電流不受輸出狀態(tài)的影響。

          3 動態(tài)斬波技術(shù)

          霍爾器件可以被看成類似于惠斯頓電橋的一組電阻陣列,這些電阻的匹配是造成器件失調(diào)的主要因素,而器件的成型過程、熱應(yīng)力和溫度系數(shù)則是造成電阻不匹配的最主要因素。A32xx系列產(chǎn)品采用動態(tài)斬波技術(shù)消除失調(diào),并通過內(nèi)部集成的高頻時(shí)鐘控制CMOS開關(guān)來動態(tài)改變流過器件的電流方向和霍爾電壓測量端內(nèi)部采樣保持電路所捕獲的霍爾電壓信號,然后通過低失調(diào)的雙極電路進(jìn)行處理,以使得電阻不匹配所造成的殘余失調(diào)電壓能相互抵消。該技術(shù)使A32xx器件具有極穩(wěn)定的靜態(tài)霍爾輸出電壓,而與熱應(yīng)力無關(guān)。圖3為該技術(shù)的工作過程示意圖,其中圖3(a)、(b)為技術(shù)原理圖、圖3(c)為電路技術(shù)結(jié)構(gòu)圖。

          4 工作特性

          A32xx系列與一般的霍爾開關(guān)不一樣,該系列無論對N極還是對S極磁場,只要垂直于器件且磁通密度達(dá)到其動作點(diǎn)Bopn或Bops以上,都會使器件開關(guān)導(dǎo)通?輸出為低?,此時(shí)器件可以吸收1mA的電流。只要磁通密度降低到釋放點(diǎn)Brpn或Brps以下,都會使器件開關(guān)斷開?輸出為高?。磁通密度動作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的差異稱為器件的磁滯Bhys。該磁滯特性可保證即使出現(xiàn)外部振動和電氣噪聲,器件的開關(guān)過程均無抖動。圖4給出了該系列器件的輸出電壓與磁通密度的關(guān)系特性。

          還有一種磁性開關(guān)稱為舌簧開關(guān),該開關(guān)有兩大特點(diǎn),一是基本無功耗,二是其開關(guān)動作不依賴于磁場磁力線的方向,即只要有磁力線穿過舌簧開關(guān),無論其方向是從左到右還是從右到左,都會使舌簧開關(guān)動作。由于舌簧開關(guān)本質(zhì)上是一種機(jī)械開關(guān),其速度、可靠性和壽命都難以與電子開關(guān)相比。而A32xx系列器件本質(zhì)上是一種電子開關(guān),它的動作(導(dǎo)通)不依賴于磁極性,同時(shí)極低的功耗使得該產(chǎn)品能夠方便地取代舌簧開關(guān)且具有更高的可靠性。

          A32xx系列產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖5所示。圖中,X為霍爾傳感器。電路工作時(shí),霍爾傳感器、動作失調(diào)消除電路、小信號放大器、采樣保持器電路共同完成測量與穩(wěn)零,而后經(jīng)過放大后進(jìn)行施密特整形,并在喚醒脈沖的下降沿將整形結(jié)果鎖存,再經(jīng)MOS-FET驅(qū)動輸出。定時(shí)邏輯用于實(shí)現(xiàn)器件的喚醒和休眠周期的控制。在休眠階段,開關(guān)斷開,此時(shí)除定時(shí)邏輯和鎖存器外,其它電路均不工作,降低了功耗。

          5 應(yīng)用提示

          在實(shí)際使用時(shí),建議在器件的電源端加上0.1μF的旁路電容,以便對外部噪聲和器件內(nèi)部時(shí)鐘噪聲進(jìn)行抑制,其典型連線方式見圖6所示。

          由于A32xx器件本身帶有喚醒測量和休眠停止工作方式,因此,A32xx系列器件通常不能用于較高速度的測量。設(shè)忙/閑定時(shí)周期為T,理論上速度小于1/T的測量均可使用,實(shí)際中往往在速度小于1/2T~1/3T的場合使用。因此,A3209適用于小于等于1kHz速率的測量,A3210適用于不大于8Hz速率的測量,A3212適用于11Hz速率的測量。表1和表2分別列出了A32xx系列器件的電氣參數(shù)和磁特性參數(shù)指標(biāo),以供使用時(shí)參考。

          表1 A32xx系列器件的電氣參數(shù)

          特 性符 號測試條件范 圍
          最 小典 型最 大單 位
          電源電壓VDD動作過程2.52.753.5V
          輸出漏電流IOFFVOUT=3.5、BRPNBBRPS-1.01.0μA
          輸出接通電壓VOUTIOUT=1mA/VDD=2.5V-100300mV
          喚醒時(shí)間tawakeA3209Ex、A3210Ex306090μs
          A3212Ex-4590μs
          忙閑時(shí)間tperiodA3212Ex240480720μs
          A3209Ex306090ms
          A3210Ex-4590ms
          忙閑比d.cA3209Ex-12.5-%
          A3210Ex-0.1-%
          A3212Ex-0.1-%
          斬波頻率fc-340-kHz
          電源電流(2.5V≤VDD
          ≤3.5V)
          IDD(EN)芯片喚醒A3209Ex、A3210Ex0.1-3.0mA
          A3212Ex--2.0mA
          IDD(DIS)芯片休眠A3209Ex、A3210Ex1.01050μA
          A3212Ex--8μA
          IDD(AVG)平均電流A3209Ex、VDD=2.75-145425μA
          A3210Ex、VDD=2.75-8.82.5μA
          A3212Ex、VDD=2.75-4.210μA
          A3209Ex、VDD=3.5V-195425μA
          A3210Ex、VDD=3.5V-1360μA
          A3212Ex、VDD=3.5V-4.810μA

          表2 A32xx系列器件的磁特性

          特 性符 號測試條件范 圍
          最小典型最大單位
          動作點(diǎn)BOPSA3209、A3210-3060G
          A3212--55G
          BOPNA3209、A3210-60-35-G
          A3212-55--G
          釋放點(diǎn)BRPSA3209、A32105.022-G
          A321210--G
          BRPNA3209、A3210--2.7-5.0G
          A3212---10G
          滯后Bhys(BOPX-BRPX)A3209、A3210-7.7-G
          A3212-8-G

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