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          LDO噪聲詳解

          作者: 時(shí)間:2012-12-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          圖 6 RMS 噪聲與輸出電壓的關(guān)系

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/185506.htm

          因此,放大參考噪聲被降至(1 + R1/R2) × VN(REF) × GRC,則方程式5變?yōu)椋?/p>

          g7.jpg

          在現(xiàn)實(shí)世界中,所有控制信號(hào)電平均依賴于頻率,包括噪聲信號(hào)在內(nèi)。如果誤差放大器帶寬有限,則高頻參考噪聲 (VN(REF)) 通過(guò)誤差放大器濾波,其方式與使用 RC 濾波器類似。但在實(shí)際情況下,誤差放大器往往具有非常寬的帶寬,因此 器件擁有非常好的電源紋波抑制 (PSRR) 性能,其為高性能 的另一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)。為了滿足這種矛盾的要求,IC 廠商選擇使用寬帶寬誤差放大器,以實(shí)現(xiàn)最佳低噪聲 PSRR。如果低噪聲也為強(qiáng)制要求,則這樣做會(huì)帶來(lái) NR 引腳功能的使用。

          典型電路中參考噪聲的控制

          放大參考噪聲

          TI TPS74401 用于測(cè)試和測(cè)量。表 1 列出了常見(jiàn)配置參數(shù)。請(qǐng)注意,為了便于閱讀,TPS74401 產(chǎn)品說(shuō)明書的軟啟動(dòng)電容器 CSS 是指降噪電容器 CNR。

          表 1 設(shè)置參數(shù)

          表 1 設(shè)置參數(shù).jpg

          首先,使用一個(gè)可忽略不計(jì)的小 CNR,研究放大器增益的影響。圖 6 顯示了 RMS 噪聲與輸出電壓設(shè)置的對(duì)比情況。如前所述,主要噪聲源 VN(REF) 通過(guò)反饋電阻器 R1 和 R2 的比放大。我們將方程式 7 修改為方程式 8 的形式:

          g8 .jpg

          其中,VN(Other)為所有其它噪聲源的和。

          如果方程式 8 擬合y=ax + b的線性曲線,如圖 6 中紅色虛線所示,則 VN(REF)(斜率項(xiàng))可估算為 19 µVRMS,而 VN(Other)(y 截距項(xiàng))為 10.5 µVRMS。正如在后面我們根據(jù)“降噪(NR)引腳效應(yīng)”說(shuō)明的那樣,CNR 的值為 1pF,目的是將 RC 濾波器效應(yīng)最小化至可忽略不計(jì)水平,而 GRC 被看作等于 1。在這種情況下,基本假定 VN(REF) 為主要噪聲源。

          請(qǐng)注意,當(dāng) OUT 節(jié)點(diǎn)短路至 FB 節(jié)點(diǎn)時(shí)噪聲最小,其讓方程式 8 的放大器增益(1 + R1/R2)等于1(R1=0)。圖 6 顯示,該最小噪聲點(diǎn)約為 30 µVRMS。

          抵銷放大參考噪聲

          本小節(jié)介紹一種實(shí)現(xiàn)最小輸出噪聲配置的有效方法。如圖 7 所示,一個(gè)前饋電容器 CFF 向前傳送(繞開)R1 周圍的輸出噪聲。這種繞開或者短路做法,可防止在高于 R1 和 CFF 諧振頻率 fResonant 時(shí)參考噪聲因誤差放大器增益而增加,其中:

          g8.jpg

          輸出噪聲變?yōu)椋?/p>

          g9.jpg

          圖 7 使用噪聲最小化前饋電容(CFF) 的 LDO 拓?fù)?jpg

          圖 7 使用噪聲最小化前饋電容(CFF) 的 LDO 拓?fù)?/p>

          圖 8 顯示了RMS噪聲相對(duì)于前饋電容 (CFF) 和不同輸出電壓設(shè)置的變化。請(qǐng)注意,每個(gè) RMS 圖線上各點(diǎn)代表上述電路狀態(tài)下整個(gè)給定帶寬的完整噪聲統(tǒng)計(jì)平均數(shù)。正如我們預(yù)計(jì)的那樣,所有曲線朝 30 µVRMS 左右的最小輸出噪聲匯集;換句話說(shuō),由于 CFF 效應(yīng),噪聲匯聚于 VN(REF) + VN(Other)。

          圖 8 前饋電容對(duì)噪聲的影響.jpg

          圖 8 前饋電容對(duì)噪聲的影響

          圖 8 對(duì)此進(jìn)行了描述。CFF 值大于 100nF時(shí),方程式 8 中1 + R1/R2 的放大器增益被抵銷掉。出現(xiàn)這種情況的原因是,盡管低頻噪聲未被 CFF 完全抵銷,但是低頻噪聲對(duì) RMS 計(jì)算的總統(tǒng)計(jì)平均數(shù)影響不大。為了觀察 CFF 的實(shí)際效果,我們必需查看噪聲電壓的實(shí)際頻譜密度圖(圖9)。圖9表明,CFF=10µF 曲線的噪聲最小,但是某些頻率以上時(shí)所有曲線均接近于這條最小噪聲曲線。這些頻率相當(dāng)于由 R1 和 CFF 值決定的諧振極點(diǎn)頻率。R1 等于 31.6 kΩ 時(shí)計(jì)算得到的 CFF值,請(qǐng)參見(jiàn)表 2。

          表 2 計(jì)算得諧振頻率

          表 2 計(jì)算得諧振頻率.jpg

          圖 9 表明,50 Hz 附近時(shí),CFF=100 nF 曲線轉(zhuǎn)降。5 kHz 附近時(shí),CFF=1 nF 曲線轉(zhuǎn)降,但是 CFF=10 pF 時(shí)諧振頻率受 LDO 噪聲總內(nèi)部效應(yīng)影響。通過(guò)觀察圖 9,我們后面均假設(shè) CFF=10µF 最小噪聲。

          圖 9 各種 CFF 值的輸出頻譜噪聲密度.jpg

          圖 9 各種 CFF 值的輸出頻譜噪聲密度

          降噪 (NR) 引腳的效果

          在 NR 引腳和接地之間使用 RC 濾波器電容(CNR)時(shí),GRC 下降。圖 10 表明 RMS 噪聲為 CNR 的函數(shù)(參見(jiàn)圖 5)。稍后,我們將在第三段“其它技術(shù)考慮因素”中說(shuō)明這兩條曲線的差異。

          圖 10 RMS 噪聲與降噪電容的關(guān)系.jpg



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