一種準(zhǔn)諧振反激式控制器功能簡(jiǎn)介
1 前言
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/185575.htm電源適配器(Power adapter)是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備,按其輸出類型可分為交流輸出型和直流輸出型;按連接方式可分為插墻式和桌面式。廣泛配套于電話子母機(jī)、游戲機(jī)、語(yǔ)言復(fù)讀機(jī)、隨身聽(tīng)、筆記本電腦、蜂窩電話等設(shè)備中。
表1顯示了針對(duì)外部電源適配器的最新的EPA 2.0 Level V標(biāo)準(zhǔn)。該表重點(diǎn)介紹了平均能效和空載功耗以及輕載功耗。
表1針對(duì)外部電源適配器的EPA 2.0 Level V標(biāo)準(zhǔn)
為此,英飛凌針對(duì)綠色電源適配器解決方案開發(fā)出全新具備數(shù)字降頻、主動(dòng)突發(fā)模式和折返校正等特性QR PWM IC ICE2QS03G。
2 CCM DCM與QR工作模式對(duì)照
反激式轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于交流/直流電源,尤其適用于輸出功率低于150W的電源。單開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器具備三種基本工作模式:連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)、斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和準(zhǔn)諧振(QR)模式。這三種工作模式都具備各自的優(yōu)缺點(diǎn)。
2.1 連續(xù)導(dǎo)通模式
圖1a是典型的CCM工作波形。 轉(zhuǎn)換器的輸入功率是:
(1)
由于電感器存儲(chǔ)的電能不完全轉(zhuǎn)移到二次側(cè),因此在相同條件下,CCM工作模式所需的電感通常高于DCM工作模式所需的電感。此外,更高的電感意味著主側(cè)開關(guān)電流具備較低的交流/直流轉(zhuǎn)換率,因此獲得更低的導(dǎo)通損耗。不過(guò),隨著原邊電感值的升高,變壓器的磁損耗也會(huì)增大,因此在開關(guān)導(dǎo)通損耗和變壓器導(dǎo)通損耗之間需折衷考慮。
此外,在占空比大于0.5的條件下,為避免次諧波振蕩,需要加入斜率補(bǔ)償功能。由于高壓輸入下,導(dǎo)通時(shí)間較短,高壓下的補(bǔ)償值低于低壓下的補(bǔ)償值。這將使高壓下的最大輸出功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于低壓下的最大輸出功率。實(shí)際上,采用CCM工作模式的SMPS IC針對(duì)某個(gè)具體的設(shè)計(jì)只具備一條補(bǔ)償曲線。如果設(shè)計(jì)發(fā)生變化,最大功率限制性能也會(huì)隨之變化。
2.2 斷續(xù)導(dǎo)通模式
圖1b是采用D CM工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器的典型工作波形。 該轉(zhuǎn)換器的輸入功率是:
(2)
如上所述,在MOSFET導(dǎo)通期間電感存儲(chǔ)的電能在MOSFET關(guān)斷期間完全轉(zhuǎn)移至次側(cè)。最大功率只與電感、開關(guān)頻率和峰值電流有關(guān)。對(duì)于采用固定頻率的設(shè)計(jì),在不同輸入電壓條件下,很容易通過(guò)使最大峰值電流保持不變來(lái)限制系統(tǒng)的最大輸入功率。
2.3 自由運(yùn)行準(zhǔn)諧振模式
圖1c是 在QR工作模式下的典型工作波形。該轉(zhuǎn)換器的輸入功率是:
(3)
在變壓器二次側(cè)電流為零時(shí),原邊主電感和漏源及線路的寄生電容發(fā)生諧振,功率開關(guān)只在漏源電壓的最低點(diǎn)開通。在這種條件下,開關(guān)頻率由輸出負(fù)載和輸入電壓決定。如果峰值電流限制保持不變,在高輸入電壓條件下,開關(guān)頻率將大幅提高。這將導(dǎo)致在高壓下很高的最大輸入功率。
圖1反激式轉(zhuǎn)換器在不同工作模式下的典型工作波型
3 ICE2QS03G 特性
由于導(dǎo)通電壓更低,未加限頻的QR工作模式雖然具備較低的開通損耗。但是,在輕載條件下,開關(guān)頻率很高,效率下降的很快。因此,在這些條件下,需要限制開關(guān)頻率。英飛凌的數(shù)字降頻(獲得專利)概念由此被開發(fā)出來(lái)。
3.1 數(shù)字降頻概念
對(duì)于QR工作模式而言,開關(guān)周期包括三個(gè)部分:導(dǎo)通時(shí)間(Ton)、關(guān)斷時(shí)間(Toff)和半諧振周期(Tres)。根據(jù)變壓器主側(cè)電感器的伏特-秒平衡,Ton和Toff 可利用(4) 和 (5)等式計(jì)算,諧振周期利用(6)等式計(jì)算。在(6)等式中,Cds 為MOSFET的漏-源極等效電容。
(4)
(5)
(6)
這就解釋了為什么當(dāng)負(fù)載減小或輸入電壓升高的情況下,開關(guān)頻率會(huì)提高。這是開關(guān)電源所不希望見(jiàn)到的,因?yàn)楦唛_關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致高開關(guān)損耗。為了限制開關(guān)頻率,英飛凌開發(fā)出數(shù)字降頻方法,確保不在第一個(gè)諧振谷點(diǎn),而是在第二個(gè)、第三個(gè)、甚至在第七個(gè)谷點(diǎn)進(jìn)行操作——這主要取決于負(fù)載條件。
事實(shí)上,ICE2QS03G的內(nèi)部有一個(gè)寄存器,稱為ZC計(jì)數(shù)器。該計(jì)數(shù)器可決定在哪個(gè)谷點(diǎn)打開MOSFET。通過(guò)監(jiān)控反饋電壓可調(diào)節(jié)寄存器的值。當(dāng)負(fù)載電流變小時(shí),可通過(guò)控制回路降低反饋電壓,從而提高ZC計(jì)數(shù)器值,降低開關(guān)頻率。當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí),ZC計(jì)數(shù)器值將變小。表3詳細(xì)介紹了ZC計(jì)數(shù)器的變化的工作原理,圖2通過(guò)三個(gè)例子,說(shuō)明ZC計(jì)數(shù)器如何隨著反饋電壓變化而變化。
由于采用可變ZC計(jì)數(shù)器和谷底開通,當(dāng)輸出負(fù)載降低時(shí),轉(zhuǎn)換器的實(shí)際開關(guān)頻率會(huì)下降,如圖3所示。
表3 ZC調(diào)節(jié)方法
圖 2 數(shù)字降頻
圖注:Clock: 時(shí)鐘;Up/Down counter: 上/下計(jì)數(shù)器; case1: 例1;Case 2 : 例2;Case 3: 例3
圖 3 基本QR與英飛凌QR的開關(guān)頻率對(duì)照
圖注:Switching frequency: 開關(guān)頻率;Active burst mode: 主動(dòng)突發(fā)模式;Free-running QR: 自由運(yùn)行QR;Output power: 輸出功率
評(píng)論