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          電阻抗成像系統(tǒng)中電壓控制電流源的設計

          作者: 時間:2012-06-04 來源:網(wǎng)絡 收藏

          測試得出輸出阻抗如圖7所示。
          由圖8可以看出,改進的Howland電路在500kHz以下時有著大于100 kΩ的輸出阻抗。但頻率提高以后,電路的輸出端與接地之間的分布電容所帶來的等效阻抗不斷降低,使得電路輸出阻抗降低。一個改進的辦法是并聯(lián)通用阻抗轉(zhuǎn)換器(GIC)以提高電路性能。
          GIC的結構圖如圖8所示。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/186291.htm

          k.jpg l.jpg


          GIC等效于一個負電阻與一個電感并聯(lián),GIC的等效電路圖如圖9所示。
          VCCS并聯(lián)GIC以后,VCCS的輸出阻抗為
          m.jpg
          通過調(diào)節(jié)-RG的大小,REQ可以接近于無窮大。
          同時VCCS輸出端的分布電容可以被GIC的等效電感部分抵消??墒沟肰CCS在高頻時依然擁有較高的性能。使用Pspice10.5進行仿真,可仿真得VCCS并聯(lián)GIC后的輸出阻抗。

          n.jpg


          測量得VCCS的輸出阻抗以及并聯(lián)GIC后的輸出阻抗對比圖如圖11所示。

          o.jpg



          5 結論
          本文分析了層析中對的要求,通過分析比較已有的,選擇改進的Howland電路進行實驗,實驗結果表明基于AD8610的改進的Howland電路輸出電流幅值誤差小于0.5%,在500 KHz以下頻率時輸出阻抗大于100 kΩ,表現(xiàn)出了不錯的性能。但由于此電路的輸出阻抗不能滿足醫(yī)用EIT系統(tǒng)1 MHz的頻率要求,本文提出了改進思路?;赑spice10.5仿真的結果,當改進的
          Howland電路并聯(lián)GIC以后可以得到1 MHz頻率范圍內(nèi)高于1 MΩ的輸出阻抗,能很好的滿足醫(yī)用EIT系統(tǒng)的需要,同時并不影響線性度。
          實際構造GIC電路來提高VCCS電路性能時,應采用高性能的運算放大器,并采用高精度的電容以及可調(diào)電阻。再將VCCS電路與GIC電路的輸出端并聯(lián)在一起共同調(diào)試。可先調(diào)試得最優(yōu)的低頻輸出阻抗,再調(diào)整得最優(yōu)的相對接地電容,重復直至性能無法更優(yōu)。


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