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          用于測(cè)試電容的電路

          作者: 時(shí)間:2012-03-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/186743.htm

          電解電容會(huì)隨時(shí)間而泄漏。圖1中的可以用來,決定它們是否值得使用。通過CREF/RREF比值可以設(shè)定對(duì)泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測(cè)試,從1nF的陶瓷電容,到1000μF的電解電容。中,CREF的值接近于待測(cè)電容值CX。另外也可以用旋轉(zhuǎn)切換的方法選擇RREF,使之大于或小于22 MΩ。

          當(dāng)按鍵開關(guān)閉合時(shí),電容CREF與CX通過各自相應(yīng)的PNP晶體管充電。當(dāng)開關(guān)打開時(shí),這些電容開始放電。CREF(假設(shè)處于良好狀況)有額外的放電外接電阻。而待測(cè)電容CX則通過自己的內(nèi)阻放電。如果CX的泄漏大于CREF通過RREF的泄漏,則CX電壓下降得更快。于是,運(yùn)放非反相輸入端的電壓會(huì)低于反相輸入端,使運(yùn)放輸出為低,使紅色LED發(fā)光。這只LED用于表示被測(cè)電容有泄漏。對(duì)的測(cè)試表明,甚至1nF的陶瓷電容都能檢測(cè)。檢查的額定值,確保其高于將充電的電壓值,此時(shí)VSUPPLY 為-1.8V。

          LF357的最低供電電壓為10V,但測(cè)試只需要6V,因此允許有一個(gè)低的上限電壓。要確認(rèn)電容有FET或MOSFET的輸入級(jí)。

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