一種低壓高頻CMOS電流乘法器的設(shè)計(jì)
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2 電路仿真結(jié)果
對(duì)圖2所示乘法器的性能使用Hspice仿真軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證，其中MOS晶體管模型參數(shù)由標(biāo)準(zhǔn)的0．35μm CMOS工藝提供。所有NMOS管和PMOS管的閾值電壓分別為0．53～0．69 V。MOS管的寬長(zhǎng)比設(shè)置如下：M1P～M4P，60μm／0．7μm，MIN～M4N，20μm／0．7μm，MC1～MC4，25μm／0．7μm，M5～M8，25μm／0．7μm。電源電壓為±1．18 V。圖4顯示了電流乘法器電路在輸入電流IY在-20～20 μA范圍內(nèi)變化時(shí)的直流傳輸特性曲線。在圖4中，從右下到右上的5條曲線分別是輸入電流IX為-20μA，-10μA，0μA，10μA和20μA時(shí)的輸出電流Iout隨輸入電流IY變化的直流傳輸特性曲線。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/186822.htm
圖5顯示了提出的乘法器電路的頻率響應(yīng)曲線。在仿真過程中，輸入電流IX為正弦信號(hào)電流，同時(shí)輸入電流IY保持為10μA。由圖5可以看到，電路的電流標(biāo)準(zhǔn)分貝增益隨頻率變化，所設(shè)計(jì)的乘法器電路展示出了良好的頻率特性，得到的-3 dB帶寬為1．741 GHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了文獻(xiàn)中提到的(413MHz)。這是由于電路中從輸入端到地的寄生電容減小的緣故。整個(gè)電路的功耗為1．18mW。
3 結(jié)語
本文提出了一種低壓高頻四象限電流乘法器電路。該乘法器電路的優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而且對(duì)稱。電路可以工作在高頻條件下(f-3dB= 1．741 GHz)，整個(gè)電路的功耗為1．18mW。
評(píng)論