寬頻帶低噪聲放大器設計
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(4)平衡放大器最低噪聲系數(shù)和單端放大器基本相同，但在設計匹配電路時，可以完全按照最佳噪聲匹配設計，以獲得理想最小噪聲匹配，不必兼顧駐波比。
在窄頻帶低噪聲放大器中，直流偏壓供電引入線的常用結構是λg／4高阻抗微帶線，其終端采用扇形線或電容對高頻短路，這種結構可用的工作頻帶最高不過40％～50％帶寬。因此在寬頻帶低噪聲放大器電路中，不可能再用這種形式的偏壓引入線，可采用微帶線中心跳線型式的偏壓引入線，即把跳線焊接在微帶中心軸線上，在理想狀態(tài)下微帶線中心正上方空間處沒有電場分布。跳線外端焊點對微帶邊沿的距離至少要大于基片厚度，以保證焊接點在電場之外。由于跳線直徑對電感量影響較弱，長度對電感量影響較大，需準確控制。跳線可適當離開基片表面，以減小地板對電感量的影響。另外還需考慮電源的低頻濾波和級間低頻去耦電容，去耦和旁路電路要足夠大，以免出現(xiàn)低頻振蕩。微帶電路中的隔直電容盡量采用高Q值、高穩(wěn)定溫度系數(shù)、無諧振及低損耗的寬頻帶表貼電容，如美國DLI公司C06系列產品。屏蔽盒體橫向寬度應小于最高工作頻率的半波長，以避免盒體內部空間產生波導傳輸效應。微帶基片應保持良好接地，固定螺釘?shù)臄?shù)量要相對多一點，最好螺釘孔的孔壁金屬化接地。調試時在盒體的上蓋板內表面貼敷相應頻段吸波材料，以減小空間耦合所引起的帶內增益起伏。
寬頻帶低噪聲放大器還需要進行電磁兼容設計，首先對進入屏蔽盒的電源線使用帶饋通濾波器的穿芯電容進行濾波，減小通過電源線所帶來的串擾問題；其次需要解決好放大器的端口匹配，確保集成到接收系統(tǒng)時能兼容工作；最后還需對盒體采取電磁屏蔽措施，減小因電磁輻射所帶來的干擾問題。在研發(fā)階段加強電磁兼容工作，有利于產品通過相應標準電磁兼容測試。
4 設計實例仿真
根據(jù)某任務研制要求，需要設計一個工作于L／S頻段的低噪聲放大器，主要技術指標包括：工作頻率為1．2～2．5 GHz；P-1dB≥10 dBmW；增益G≥32 dB；噪聲系數(shù)Nf≤1．1 dB；輸入、輸出駐波比不大于1．5。依據(jù)以往工程經驗，選用兩只NEC公司生產的NE42484A低噪聲器件進行平衡式電路設計，此電路增益明顯滿足不了指標要求，需要增加一級高增益且噪聲較低的帶內匹配電路的放大器，如Stanford公司生產的SAN-386內匹配晶體管。根據(jù)多級放大器噪聲計算公式：
式中：F為兩級放大器總的噪聲系數(shù)，F(xiàn)1，F(xiàn)2分別為第一、二級的噪聲系數(shù)，G1，G2分別為第一、二級的增益。通過該公式可以明顯看出，級聯(lián)后的噪聲系數(shù)主要取決于第一級放大器的噪聲系數(shù)，且第一級增益越大，后級對總噪聲系數(shù)的貢獻就越小。
兩只NE42484A場效應管的S參數(shù)盡量選擇一致，微帶基片選用介電常數(shù)為9．2、厚度為1 mm的復合介質基板，利用ADS軟件建立仿真電路拓撲結構，匹配電路的形式選擇微帶阻抗變換型匹配法，該匹配法在形式上相當于若干條微帶線相互串聯(lián)而成。根據(jù)NE42484A場效應管和SAN-386晶體管的S參數(shù)進行仿真優(yōu)化設計，常用的優(yōu)化方式分為隨機優(yōu)化和梯度優(yōu)化，隨機法通常用于大范圍搜索，梯度法則用于局域收斂。優(yōu)化時可設定少量的可變參數(shù)，對放大器的各個指標分步驟進行優(yōu)化，先用100～200步的隨機法進行優(yōu)化，后用20～30步的梯度法進行優(yōu)化，一般可達最優(yōu)結果。
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