單芯片電容測(cè)量方案PCAP01原理

1 前言

　　對(duì)于電容傳感器的測(cè)量來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的電路方式有其無(wú)法克服的局限性。復(fù)雜的模擬電路設(shè)計(jì)，難以擴(kuò)展的電容測(cè)量范圍，都會(huì)給開(kāi)發(fā)帶來(lái)非常大的阻力。

　　德國(guó)acam公司專(zhuān)利的PICOCAP®測(cè)量原理則給電容測(cè)量提供了革命性的突破。在2011年推出了最新的帶有內(nèi)部DSP單片機(jī)的單芯片電容測(cè)量方案PCAP01, 這個(gè)芯片會(huì)使電容測(cè)量提高到一個(gè)前所未有的水平。

　　2.概述

　　PCap01為帶有單片機(jī)處理單元的一款專(zhuān)門(mén)進(jìn)行電容測(cè)量的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換單芯片方案。這顆芯片測(cè)量范圍覆蓋了從幾fF到幾百nF，而且可以非常簡(jiǎn)單的通過(guò)配置來(lái)滿(mǎn)足各種不同應(yīng)用的需求。PCap01既適合超低功耗最低至幾個(gè)uA的測(cè)量，也適合高精度達(dá)到21位有效位的高性能測(cè)量，還可以進(jìn)行最高達(dá)50萬(wàn)次每秒鐘的快速測(cè)量。這顆芯片提供了對(duì)于高精度測(cè)量,低功耗測(cè)量以及快速測(cè)量應(yīng)用的的完美結(jié)合。傳感器數(shù)據(jù)可以在芯片內(nèi)部進(jìn)行現(xiàn)行校準(zhǔn)，然后通過(guò)SPI或者IIC數(shù)據(jù)串行接口進(jìn)行傳送。另外，芯片還可以通過(guò)IO口來(lái)發(fā)送 PWM/PDM 輸出電壓信號(hào)。其余的IO口可以作為中斷管腳，水平報(bào)警信號(hào)管腳或者普通IO口來(lái)應(yīng)用。

　　PCap01 有非常小的QFN封裝尺寸，僅需要極少數(shù)量的外部元器件 (至少需要2個(gè)外部雙通電容) ，使整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)非常緊湊而且降低成本，適合很廣泛的電容測(cè)量。

　　3. PICOCAP 測(cè)量原理介紹

　　PICOCAP 測(cè)量原理展示了對(duì)于電容測(cè)量的新的革命性的方式。在這個(gè)原理中，一個(gè)傳感器的電容和一個(gè)參考電容被連接到同一個(gè)放電電阻，組成了一個(gè)Low-pass低通濾波。

　　電容首先被充電到電源電壓，然后通過(guò)電阻進(jìn)行放電。而放電到一個(gè)可控制闞值電壓的水平將會(huì)被芯片內(nèi)部的非常高精度時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器TDC所記錄下來(lái)。

　　這個(gè)測(cè)量過(guò)程將會(huì)在傳感器和參考電容上重復(fù)交錯(cuò)進(jìn)行，應(yīng)用同樣的電阻。計(jì)算的結(jié)果是測(cè)量的比值結(jié)果，是與電阻和比較器溫度相關(guān)性有關(guān)。傳感器和參考電容數(shù)值的選擇應(yīng)該為統(tǒng)一范圍來(lái)降低增益偏移。實(shí)踐角度講，對(duì)于被測(cè)電容沒(méi)有大小的限制。傳感器幾乎可以從0fF到幾十nf。PICOCAP同時(shí)也支持差動(dòng)電容傳感器的測(cè)量帶有內(nèi)部的線性補(bǔ)償。

　　4. PCAP01芯片主要特點(diǎn)

　　Pcap01芯片為一顆單芯片電容測(cè)量方案，猶如下一些特性：

　　一顆芯片可以適合多種應(yīng)用，測(cè)量靈活性非常高:

　　a) 低測(cè)量功耗，在10Hz最低僅2 µA

　　b) 測(cè)量精度最高達(dá) 22 位有效位, 4 aF rms 精度

　　c) 測(cè)量頻率可以最高達(dá)500 kHz

　　非常寬的電容測(cè)量范圍, 從幾 fF 到上百nF

　　超低增益和offset漂移

　　18 位高分辨率溫度測(cè)量

　　48-位 DSP, 4k byte OTP, 4k byte SRAM

　　內(nèi)部或者外部時(shí)鐘振蕩

　　最多可以支持6個(gè)IO口

　　IIC, SPI, PWM, PDM 接口

　　寬的電源電壓范圍從2.1 V 到 3.6 V

　　寬操作溫度范圍( -40 ℃ 到 +125℃)

　　QFN32 或者 QFN24 封裝

　　內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖：

　　Pcap01發(fā)揮了PICOCAP®測(cè)量原理的高精度優(yōu)勢(shì)，使電容測(cè)量達(dá)到了一個(gè)前所未有的水平。根據(jù)傳感器和參考電容大小不同，以及所選擇的測(cè)量模式的不同，我們有如下測(cè)量數(shù)據(jù)。這個(gè)測(cè)量數(shù)據(jù)為典型測(cè)量噪聲精度vs.數(shù)據(jù)輸出頻率, 我們的測(cè)試是應(yīng)用Pcap01評(píng)估系統(tǒng)以及10pF參考電容和1pf的Span加載電容完成。芯片的電壓為 V = 3.0 V：

　　上面表格中可以 看到，我們分別給出了floating漂移模式和Grounded接地模式兩種情況。當(dāng)應(yīng)用漂移模式，完全補(bǔ)償?shù)那闆r下，在5Hz輸出時(shí)測(cè)量的RMS噪聲為6aF，測(cè)量有效位高達(dá)20.7位!在選擇不同測(cè)量頻率的不同設(shè)置情況下，精度和速度的相對(duì)關(guān)系在表格中給出。 當(dāng)然隨基礎(chǔ)電容大小不同，測(cè)量的有效分辨率也會(huì)有所不同。

　　當(dāng)應(yīng)用補(bǔ)償模式進(jìn)行高精度測(cè)量時(shí)，可以使測(cè)量有非常低的增益和零點(diǎn)漂移。電容可以連接為接地，漂移模式。而傳感器和參考電容是通過(guò)內(nèi)部集成的模擬開(kāi)關(guān)選擇到放電網(wǎng)路中。另外由于專(zhuān)利的電路和補(bǔ)償算法，內(nèi)部可以補(bǔ)償寄生電容。補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)果可以達(dá)到在溫度范圍內(nèi)僅0.5 ppm /K 增益偏移。這比絕大多數(shù)傳感器本身內(nèi)部偏移要好得多。