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          電路配置通盤考量應(yīng)用

          作者: 時間:2011-11-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          舉例來說,采用適當(dāng)?shù)燃壍牡刃Ф喙山g合線(Litz Wire)可減小交流損耗,而交流損耗正是BCM PFC升壓電感中銅損耗的主要部分。因此,應(yīng)該采用適合高頻工作的間隙(Gapped)鐵氧體材料,如選擇EPCOS公司的N87材料制作薄而扁平的EFD30鐵氧體磁芯組,其測得的PFC效率如圖3所示。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/187222.htm

            

            圖3 AC-DC電源設(shè)計搭載交錯式BCM PFC測得的效率(100%=330瓦)

            對于300瓦的扁平型AHB變壓器,一種解決方案是采用兩個水平磁芯的結(jié)構(gòu),包括初級端繞組以串連方式連接;次級端繞組以并連方式連接。不過,該方案必須使用兩個變壓器,因?yàn)槊總€磁芯的橫截面積(Ae)差不多是避免飽和所必需的150平方毫米的一半,而要在一個高不到20毫米的小型元件上設(shè)計出橫截面積為150平方毫米的傳統(tǒng)形狀磁芯,是一件不可能的事情。因此,類似于BCM PFC電感設(shè)計,該方案也采用絞合線和高頻鐵氧體磁芯材料來保持高效率。

            最后一個重要設(shè)計步驟是把AHB變壓器中的漏電感量控制在允許范圍內(nèi),對于ZVS的要求,需要某些特定的漏電感值;而對于自驅(qū)動SR,則需要調(diào)節(jié)時序延遲。在本設(shè)計中因變壓器產(chǎn)生的有效泄漏被優(yōu)化為7μH,也就是總體有效磁性電感的1.5%,300瓦AHB DC-DC轉(zhuǎn)換器測得的效率結(jié)果如圖4所示。

            

            圖4 AHB 390伏特到12伏特/25安培DC-DC測得的效率(100%=300瓦)

            降低導(dǎo)通損耗成關(guān)鍵 BCM/AHB控制器助陣

            以圖4測得的滿負(fù)載效率而言,主要由轉(zhuǎn)換器功率級的導(dǎo)通損耗來決定,因此,在這些條件下,幾乎沒有一種控制器可提供幫助。不過,要保持較高的輕載效率,倒有好幾種控制器技術(shù)可以考慮。例如快捷(Fairchild)半導(dǎo)體推出的一款交錯式雙BCM PFC控制器FAN9612,其利用一個內(nèi)部固定的最大頻率箝制來限制輕載下和AC輸入電壓過零點(diǎn)附近的與頻率相關(guān)的輸出電容(Coss)MOSFET開關(guān)損耗。

            值得注意的是,在AC線電壓部分輸入電壓(VIN)>輸出電壓(VOUT)的二分之一期間,也可采用谷底開關(guān)技術(shù)(Valley-switching Technique)來感測最佳的MOSFET導(dǎo)通時間,進(jìn)一步降低輸出電容的電容性開關(guān)損耗;而當(dāng)VIN 此外,F(xiàn)AN9612還導(dǎo)入一種自動相位管理功能,進(jìn)一步提高輕載效率。這種功能可把雙通道工作降至單通道工作模式,而相位管理則有助于提高輕載效率的效益,如圖3所示,在10%20%r,效率曲看起碭加平坦。加上甕ǖ攔ぷ髂J嬌砂驗(yàn)_Pp耗pd效率的影降至最低,如D5所示,交e式pfc在相位管理期g具有保持同步的能力。左D的是d0提高到19%(64瓦),甕ǖ擂D(zhuǎn)Q到p通道工作模式r的情r。右D的t是dMd降至12%(42瓦)r,p通道DQ到甕ǖ攔ぷ髂Jr的情r。 20%r,效率曲看起碭加平坦。加上甕ǖ攔ぷ髂J嬌砂驗(yàn)_Pp耗pd效率的影降至最低,如D5所示,交e式pfc在相位管理期g具有保持同步的能力。左D的是d0提高到19%(64瓦),甕ǖ擂D(zhuǎn)Q到p通道工作模式r的情r。右D的t是dMd降至12%(42瓦)r,p通道DQ到甕ǖ攔ぷ髂Jr的情r。>

            圖5 PFC相位管理比較圖

            

            另一方面,AHB隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)方案可采用AHB控制器FSFA2100來實(shí)現(xiàn)。舉例來說,導(dǎo)入FSFA2100于單一的九腳功率半導(dǎo)體系統(tǒng)封裝(SiP)中,其能整合脈沖寬度調(diào)變(PWM)控制、閘極驅(qū)動功能及內(nèi)部功率MOSFET等功能。此種先進(jìn)的整合度讓設(shè)計人員可藉由較少的外部元件,進(jìn)一步獲得高達(dá)420瓦的極高效率。

            值得注意的是,把這三大關(guān)鍵功能整合在單一封裝中,可避免對ZVS所需死區(qū)時間(Dead Time)的可編程設(shè)計任務(wù),并把內(nèi)部驅(qū)動器與MOSFET之間的閘極驅(qū)動寄生電感減至最小。不過,SiP功率封裝中的功耗大部分源于內(nèi)部MOSFET的開關(guān),因此需要一個扁平的擠壓式散熱器,尤其是對無強(qiáng)制空氣冷卻的300瓦設(shè)計,更是如此。

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