<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計(jì)

          軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-11-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          設(shè)計(jì)人員感興趣的另一個(gè)地方是MOSFET電容的測(cè)試條件。大多數(shù)情況下,在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測(cè)量。事實(shí)上存在著柵漏間電容、柵源間電容及漏源間電容。但實(shí)際上卻不可能單獨(dú)測(cè)量每一電容。因此,柵漏間電容和漏源間電容之和總稱為,通過(guò)并聯(lián)兩個(gè)電容來(lái)測(cè)量。為使它們并聯(lián),將柵極與源極短接在一起,即Vgs=0V。在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,當(dāng)MOSFET在柵極加偏置電壓而導(dǎo)通時(shí),通過(guò)MOSFET溝道而短路。僅當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),輸出電容值才值得考慮。關(guān)于頻率,如圖5所示,低壓下的輸出電容在低頻時(shí)稍有增加。低頻時(shí),因?yàn)闇y(cè)試設(shè)備的限制,有時(shí)無(wú)法測(cè)量低漏源電壓下的電容。圖5中,當(dāng)漏源電壓小于4V時(shí),100kHz時(shí)的電容將無(wú)法測(cè)出。雖然輸出電容存在微小變化,但是等效輸出電容卻幾乎恒定,因?yàn)榈蛪合碌妮敵鲭娙菸⑿∽兓粫?huì)對(duì)儲(chǔ)能產(chǎn)生如圖3所示那樣大的影響。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/187223.htm

            

            圖5:MOSFET電容與頻率的關(guān)系。

            本文小結(jié)

            輸出電容是設(shè)計(jì)的重要部分。設(shè)計(jì)人員必須慎重考慮等效電容值,而不是將其固定為漏源電壓下的單一數(shù)值。


          上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();