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          X波段微帶帶通濾波器的仿真設(shè)計

          作者: 時間:2010-11-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/187710.htm

            圖6 是自由諧振條件下的無損耗S21和S11參數(shù)

            對導(dǎo)體幾何尺寸和電氣屬性的精確控制是實現(xiàn)優(yōu)異性能的關(guān)鍵。對于的應(yīng)用頻率,諧振器耦合發(fā)生在 ?/4元件上時,耦合效果最強。這種耦合線結(jié)構(gòu)的缺陷是需要微小的縫隙來實現(xiàn)強大的耦合。由于這些元件是由導(dǎo)線構(gòu)成的,導(dǎo)線的幾何精度和一致性分別決定了所需阻抗的匹配度和耦合度。為控制導(dǎo)體的幾何尺寸,可采用高度共形的電阻和尺寸補償布線,以實現(xiàn)電鍍導(dǎo)體的垂直/水平生長縱橫比。使用這些設(shè)計/工藝特性,可以生產(chǎn)長25~50mm的3μm導(dǎo)線和空隙。

            

          《電子系統(tǒng)設(shè)計》

            圖7是 10GHz自由諧振條件下的電場。

            微帶幾何結(jié)構(gòu)的散射特性(非均質(zhì)介質(zhì))會引起偶模和奇模相位速度的不對稱。

            

          《電子系統(tǒng)設(shè)計》

            

          《電子系統(tǒng)設(shè)計》

            圖8~9是自由諧振條件下的 S21和S11損耗參數(shù) 。

            對諧振高Q結(jié)構(gòu),使用四面體網(wǎng)孔建模進行了三維全波EM仿真。在計算S參數(shù)時,使用了降階模型法。電磁場的評估則使用考慮到損耗的模型分析(固有模式)來進行。對分立式(自由諧振)和諧振腔濾波器(封閉諧振)都進行了分析。

            模型報告

            

          《電子系統(tǒng)設(shè)計》

            圖 10是實際測量 (S21, S11)。

            本文小結(jié)

            微帶通帶濾波器已經(jīng)過了EM仿真、薄膜制造和VNA測試。仿真特性和測量得的濾波器特性具有良好的一致性:因數(shù)為10.1GHz;S211.3dB;電壓駐波比(VSWR)為 1.1;帶寬在1dB、3dB和10dB時分別為340MHz、380MHz和800MHz;形狀因子為0.054dB/MHz。

            威世公司的EFI在優(yōu)化功能的多項關(guān)鍵性互動設(shè)計參數(shù)上取得突破性進展。威世公司是為數(shù)不多的幾家能夠提供這種設(shè)計和建模功能的制造商之一。


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