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          三級級聯(lián)的低噪聲放大器的設(shè)計

          作者: 時間:2010-08-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/187830.htm

            在鏡像頻率附近,增益由無陷波濾波器時的25 dB左右,降到-21.9 dB值附近,對進(jìn)入LNA的鏡像信號起到一定的抑制作用。表1表明電路在頻段內(nèi)穩(wěn)定度狀況,系數(shù)遠(yuǎn)大于1,電路絕對穩(wěn)定。

            另外,從式(5)可看出陷波濾波器的Q值受電感中的寄生電阻所限制。所以,在CMOS工藝中,電感的特性影響著LNA最后的性能。

            通過表2可以看到LNA在有陷波濾波器和沒有陷波濾波器兩種情況下的仿真結(jié)果的對比。

            

            4 結(jié)語

            為了達(dá)到單片雷達(dá)接收機(jī)對鏡像抑制度的要求,采用CMOS O.18μm工藝設(shè)計了一個的鏡像抑制LNA。通過在LNA中接入無源限波濾波器,實(shí)現(xiàn)對鏡像信號的衰減,從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計難度。

            最后在ADS中對設(shè)計的放大器進(jìn)行仿真,其結(jié)果為,最大供電電壓為5 V情況下,信號頻段3.0~3.2 GHz,中頻輸出為225 MHz,功率增益≥31 dB,噪聲系數(shù)≤O.5 dB,輸入/輸出1 dB點(diǎn)的功率分別為-19.5 dBm和11.5 dBm,對鏡像信號的抑制度達(dá)22 dB。避免了使用片外濾波器,提高了系統(tǒng)的集成度。由于目前的CMOS工藝中,電感的品質(zhì)依然有待提高。單片鏡像抑制LNA要想達(dá)到更好的性能,還有待進(jìn)一步研究。


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