高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)
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引言
本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用和參考價(jià)值。
線性化壓控源耦對(duì)是本設(shè)計(jì)電路的核心單元，要保證該電路處于正常工作狀態(tài)，要求線性輸入范圍較小，約100mV～200mV。設(shè)計(jì)中采用有源衰減對(duì)輸入信號(hào)衰減后再作為線性化壓控源耦對(duì)輸入信號(hào)，提高了線性輸入范圍，同時(shí)也保證了高線性度。另外，還使用比例減法運(yùn)算電路的倍增功能，將兩端輸出轉(zhuǎn)化為單端輸出，在滿足輸出幅值要求時(shí)，可以進(jìn)一步提高輸出與輸入的線性關(guān)系的精度。
模擬信號(hào)的幅值調(diào)制在模擬信號(hào)處理中應(yīng)用非常廣泛，為了實(shí)現(xiàn)調(diào)幅的精確可控制性，
模擬乘法器
該模擬乘法器以線性化壓控源耦對(duì)為核心結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了CMOS四相限模擬乘法器。電路基本結(jié)構(gòu)和工作原理如圖1所示
假定M1～M6具有完全相同的幾何尺寸和溝通參數(shù)
流源由Vbias電壓偏置提供飽和電流偏置。且所有的NMOS管子都處于在飽和工作區(qū)，并忽略管子正常工作時(shí)的二級(jí)效應(yīng)。則有：
式相減：
其中vd=VGS1－VGS2
評(píng)論