晶體變換器的概要及設(shè)計
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圖20所示的為各種性能。由其中的圖(C)所示的順方向傳達(dá)電導(dǎo)|yfs|特征，可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V時，|yfs|=23mS。 本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/188021.htm
圖20 3SK73的諸項特性
(此為使用廠商的數(shù)據(jù)規(guī)格所做的設(shè)計。在G2電壓(AGC電壓)為0~2V時，電功率放大率為l0~24dB變化。)
根據(jù)以上的條件，從圖(a)與圖(b)的特性可以求出漏極電流ID=14mA。
可是，如圖(e)所示，在外部溫度Ta達(dá)到75℃時，漏極電功率損失PD必須控制在150mW以下。此時，可以求出漏極-源極間電壓VDS=150/14=10.7V。
根據(jù)3SK73GR的IDSS分類，有6mA~14mA。由特性圖可以看出，所流通的ID值較大，為考慮余裕度，電源電壓設(shè)計為6V。
圖(d)所示的為AGC (Automatic Gain Contro1)電壓與噪聲指數(shù)NF，以及電功率放大率Gps的關(guān)系。此所示的雖然為在VG1S＝0V時的數(shù)據(jù)，但是，相當(dāng)不太大，因此，可以直接如此使用。
ACC電壓是指VG2S，在VG2S=4V時，NF約為2dB。此一數(shù)值對于高頻率放大電路而言，還算可以。
電功率放大率約為25dB。VG2S為0～4V變化時，其放大率為在+10～+25dB間變化。也即是，利用VC2S，可以改變的放大率約為15dB。
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