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          無需緩沖器的反激式轉(zhuǎn)換器技術(shù)

          作者: 時間:2009-12-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          利用這些假設(shè),RCD箝位的功耗可以表示為存儲在電感器中的能量,具體如下:

          公式2

          換句話說,我們讓開關(guān)上的箝位電壓升得越高,總功耗越低。但是當然,我們必須對此進行平衡以防止總電壓出現(xiàn)在功率FET兩端,因此我們不能任意降低功耗。

          一個典型設(shè)計可用于電壓vx等于1/2反激電壓。在這種情況下,功耗等于存儲在漏感中能量的三倍,它不是一個立即可見的結(jié)果。然而,這是一個保守的估計。它沒有解釋電感器的有損放電,也沒有解釋雜散電容。實際上,由于這些結(jié)果,該設(shè)計的箝位損失將比預(yù)期的更少。

          高壓離線設(shè)計這些經(jīng)常限制使用一個最高電壓為650或700V的FET,電壓vx將將很難限制所設(shè)定的最大輸入電壓、最大電流和FET擊穿電壓。不要超過FET規(guī)定的Vds,意識到擊穿可能隨溫度變化。一些設(shè)計人員依賴于FET的雪崩能力,讓它有規(guī)律地超過擊穿電壓。這不是為可靠的電源設(shè)計推薦的。

          設(shè)計步驟3――選擇箝位電阻器

          的電容器需要足夠大,以保持一個相對恒壓,同時吸收泄漏能量。除了這一考慮,其邏輯值要求不高,當正常工作時不會影響峰值電壓。

          電阻器在確定峰值電壓vx方面是至關(guān)重要的元件,因此需要根據(jù)以下公式選擇:

          公式3

          一個大數(shù)值電阻器將減緩箝位電容器的放電,有助于電壓提升到更高值。一個小數(shù)值電阻器將導(dǎo)致較低的箝位電壓,而功耗將增加。

          設(shè)計步驟4――計算功率損耗

          現(xiàn)在設(shè)計已經(jīng)完成,但是我們經(jīng)常還需要知道上述公式中,除了最差條件電流Ip,電流的功耗是多少。使用以下公式計算某一給定峰值電流I和漏感L的已知緩沖器的電壓上升。

          vx是電壓上升值,高于反激電壓,可以表示為:

          公式4

          功耗可以表示為:

          公式5

          設(shè)計步驟5――實驗驗證

          設(shè)計的實驗驗證是必不可少的,因為將出現(xiàn)沒有計入公式的結(jié)果,你的電路將出現(xiàn)非理想的元件。圖3所示為箝制FET漏極電壓峰值電路的效益。

          圖3. 帶有初級RCD箝位的漏極電壓。

          該數(shù)值還給出了一個RCD箝位限制。在箝制周期結(jié)束之后,電路恢復(fù)振鈴。采用理想的元件,這將不會發(fā)生。不過,RCD箝位的二極管有一個有限的反向恢復(fù)時間,有助于漏感電流流入二極管的相反方向,可導(dǎo)致振鈴。RCD緩沖器各種類型二極管選擇至關(guān)重要。它必須盡可能的快,具有合適的額定電壓。

          這個振鈴的嚴重程度將取決于RCD二極管兩端反向施加的電壓。你允許的箝位電壓爬得越高,功耗就越低,電壓越高且dv/dt施加在二極管上,振鈴將增加。

          通過采用RC緩沖器隨后的振鈴可以再一次被抑制。

          總結(jié)

          RCD箝位電路對所有非常有用,可以減少功率FET上的壓力。要確保箝位的目的是將最差工作條件下(高電壓和最大電流極限)的電壓限制低于元件的額定電壓。本文中的設(shè)計公式排除了來自箝位設(shè)計的猜測。


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