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          TI 700-mW低電壓音頻功率放大器TPA711的特性及其應(yīng)

          作者: 時(shí)間:2009-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          舉例,假定R1=10 kΩ,RF=50 kΩ,則在BTL模式下電路電壓效益為-10,反相端輸入等效阻抗為8.3 kΩ,這個(gè)取值在推薦范圍內(nèi)。
          對于高性能應(yīng)用場合,R1,RF選用金屬膜電阻,這樣可降低電路噪聲。當(dāng)RF大于50 kΩ時(shí),由于RF和MOS輸入回路容抗的作用,會(huì)使電路工作不穩(wěn)定。這時(shí)可在RF兩端并一個(gè)5pF的電容。這樣RF,CF可形成一個(gè)低通濾波回路,回路的截止效率可由等式(7)決定。
          (7)
          例如,當(dāng)RF=100 kΩ,CF=5pF時(shí),fco=318kHz,這足以超過音頻范圍。
          5.輸入電容C1:
          在實(shí)際應(yīng)用中,C1可使的偏置電壓穩(wěn)定,這對確保電路穩(wěn)定工作很重要。在本例中,C1,R1形成一個(gè)高通濾波回路,其角頻率由方程(8)決定。
          (8)
          電容C1的取值對穩(wěn)定電路偏置電壓影響較大。當(dāng)R1=10 kΩ時(shí),為得到低至40Hz的平坦響應(yīng)特性,可由等式(9)決定C1取值。
          (9)
          在本例中,C1為0.40μF,實(shí)際應(yīng)用中C1取值范圍為0.40μF~1μF。C1取值還要考慮的影響是通過R1,RF的漏電流,這個(gè)漏電流會(huì)在電路輸出端產(chǎn)生一個(gè)失調(diào)電壓,從而影響輸出功率,這點(diǎn)在高增益場合下的影響更明顯,所以實(shí)用中C1應(yīng)選用鉭電容或瓷片電容。當(dāng)使用有極性電容時(shí),正極應(yīng)接在電路的輸入端,這是因?yàn)檩斎攵说闹绷麟娢粸閂DD/2的原因,它比信號源的直流電壓要高,電容的極性要正確,這點(diǎn)在使用中很重要。
          6.電源去耦電容CS:
          是一個(gè)高性能的CMOS音頻放大器,為了使電路的總諧波失真盡可能低,則要求電源的去耦要好。電源的去耦還可以消除由于電路的揚(yáng)聲器引線過長而引入的振蕩。比較好的去耦是采用不同類型的兩個(gè)電容并聯(lián),小容量,低等效串聯(lián)電阻(ESR)的小容量電容用來吸收高頻噪聲干擾,如電火花,在引線上數(shù)字雜亂干擾躁聲等。而對濾除低頻噪聲信號,應(yīng)選用鋁電解電容器,容量應(yīng)大于10μF。
          7.中路旁通電容CB:
          電容CB有幾個(gè)作用:
          1) 在電路啟動(dòng)或由關(guān)斷模式的再啟動(dòng)情況下,CB決定電路的啟動(dòng)速率;
          2) 可降低因輸出驅(qū)動(dòng)信號耦合引起電源產(chǎn)生的噪聲信號;
          3) 可減少電路啟動(dòng)的撲撲聲。為使電路啟動(dòng)撲撲聲盡量小,CB可由方程(10)決定:
          (10)
          作為一個(gè)例子,取CB=2.2μF,C1=0.47μF,CF=50 kΩ,R1=10 kΩ,將這些值人入方程(10)得出:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188491.htm
          18.2≤35.5

          可見滿足方程(10)。為使電路總諧波失真小,CB應(yīng)該用等效串聯(lián)電阻ESR小的瓷片電容或鉭電容。
          8.單端工作狀態(tài)
          在單端(SE)工作狀態(tài)下(見圖9),負(fù)載由VO+驅(qū)載。在單端模式下,增益由等式(11)的RF,R1決定。
          (11)
          在SE模式下,輸出耦合電容的選擇也很重要,CC對電路其它元件的取值也有影響。它應(yīng)滿足以下公式(12)。
          (12)
          9.輸出耦合電容CC:
          在典型的單電源單端(SE)情況下,CC用來在電路輸出端與負(fù)載間隔直,電路的高通頻率由等式(13)決定。
          (13)
          電容CC的缺點(diǎn)是影響電路頻響的下限值,從而影響電路的低頻響應(yīng)。為使下限頻率足夠低,CC取值應(yīng)足夠大。一般對4Ω,8Ω,32Ω,47Ω的負(fù)載,CC應(yīng)選用330μF以上。表3給出了不同的取值情況下,電路的頻響特性。

          表3 單端輸入時(shí)負(fù)載阻抗與電路低頻特性間的關(guān)系

          RLCC最低頻率響應(yīng)
          8330μF60Hz
          32330μF15Hz
          4330μF0.01Hz

          如表3所示,8Ω負(fù)載比較合適,耳機(jī)頻響特性也很好。
          10.SE/BTL工作模式:
          可以很方便地在SE和BTL工作模式下實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換,這是它最重要的特性,這對電路負(fù)載既有揚(yáng)聲器又有耳機(jī)的場合下特別有用。當(dāng)控制端SE/BTL為L時(shí),電路工作于BTL模式,當(dāng)SE/BTL為H時(shí),電路工作于SE模式。SE/BTL的控制輸入可以是一個(gè)TTL邏輯電源,更常用的是采用圖9所示的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)。

          圖9 TPA711電阻分壓網(wǎng)絡(luò)電路
          當(dāng)耳機(jī)未插入時(shí),耳機(jī)開關(guān)閉合,由100 kΩ電阻分壓網(wǎng)絡(luò)提供一個(gè)低電平SE/BTL端子,當(dāng)耳機(jī)插入時(shí),電阻1 kΩ切斷,分壓網(wǎng)絡(luò)為SE/BTL端子提供一個(gè)高電平,從而完成SE/BTL工作模式轉(zhuǎn)換。

          11.采用低等效串聯(lián)電阻電容:
          本電路所有電容都應(yīng)采用低等效串聯(lián)電阻的電容,這對提高電路性能很有意義。

          12.5V和3.3V工作:
          TPA711可以在3.3V~5V范圍內(nèi)正常工作。提供電壓不同,輸出功率不同。每個(gè)TPA711的動(dòng)態(tài)范圍為(VDD-1)伏,而對3.3V工作電壓下,當(dāng)VO(PP)=2.3V時(shí),電路出現(xiàn)限幅,對5V供電,VO(PP)=4V時(shí),電路出現(xiàn)限幅。

          13.動(dòng)態(tài)范圍和熱設(shè)計(jì):
          在正常工作狀態(tài)下,線性放大器會(huì)產(chǎn)生很大的功耗,對典型的CD需要12dB~15dB的動(dòng)態(tài)范圍。對TPA711在5V供電電壓,負(fù)載為8Ω的情況下,它可以輸出mW的峰值功率?,F(xiàn)將功率值轉(zhuǎn)變?yōu)閐B值。有:PdB=101gPw=101gmW=-1.5dB
          可得到無失真條件下的電路動(dòng)態(tài)范圍
          -1.5dB-15dB=-16.5(15dB的動(dòng)態(tài)范圍)
          -1.5dB-12dB=-13.5(12dB的動(dòng)態(tài)范圍)
          -1.5dB-9dB=-10.5(9dB的動(dòng)態(tài)范圍)
          -1.5dB-6dB=-7.5(6dB的動(dòng)態(tài)范圍)
          -1.5dB-3dB=-4.5(3dB的動(dòng)態(tài)范圍)
          再次將分貝值轉(zhuǎn)換為功率值:
          Pw=10PDB/10
          =22mW(15dB動(dòng)態(tài)范圍)
          =44mW(12dB動(dòng)態(tài)范圍)
          =88mW(9dB動(dòng)態(tài)范圍)
          =175mW(6dB動(dòng)態(tài)范圍)
          =350mW(3dB動(dòng)態(tài)范圍)
          表4給出了TPA711在額定功率5V,8Ω,BTL模式下的峰值輸出功率,平均輸出功率,功耗,最高環(huán)境溫度間的關(guān)系。
          表4表明,TPA711可以在DGN封裝條件下不使用散熱片,在環(huán)境溫度高達(dá)110℃時(shí)輸出700Mw。D封裝下環(huán)境溫度34℃,不使用散熱片,輸出功率700Mw。

          表 4

          峰值輸出功率(mW)平均輸出功率功耗(mW)D封裝(SOIC)DGW封裝(MSOP)
          最高環(huán)境溫度最高環(huán)境溫度
          700700Mw67534℃110℃
          700350mW(3Db)59547℃115℃
          700176mW(6dB)47568℃122℃
          70088mW(9dB)35089℃125℃
          70044mW(12dB)225111℃125℃


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