薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

很明顯，就其內(nèi)部端接而言，薄膜電阻器技術(shù)可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技術(shù)的電阻器也具有整體穩(wěn)定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決于電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。

圖2 根據(jù)額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級(jí)

在過去，這種電噪聲更低的改進(jìn)措施只有在高端音頻應(yīng)用中才能體現(xiàn)其重要性。但是，厚膜電阻器難以滿足目前最新的高速通信設(shè)備，例如路由器、網(wǎng)橋和DSL調(diào)制解調(diào)器等對(duì)噪聲的要求。許多因素導(dǎo)致厚膜電阻器的噪聲更大，薄膜和厚膜技術(shù)最顯著的一個(gè)差異體現(xiàn)在激光修整特性上。一旦燒制成功，厚膜材料的性狀實(shí)際上與玻璃類似。因此，隨著材料的冷卻，激光修整會(huì)在修整區(qū)域周圍形成許多細(xì)小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯(cuò)誤電流路徑的一種來源，所有這些都會(huì)固有地導(dǎo)致對(duì)高速通信信號(hào)的處理性能的下降。

為了降低激光修整對(duì)厚膜元件的影響，制造商通常會(huì)增加一層絕緣玻璃來穩(wěn)定激光修整。這一層包含微量的鉛，而且人們深知它對(duì)于保持厚膜電阻器長(zhǎng)期可靠性的重要性；鑒于其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬于RoHS標(biāo)準(zhǔn)的豁免項(xiàng)目。

但是，這種豁免今后是會(huì)繼續(xù)存在，抑或業(yè)界會(huì)要求使用一種不含鉛的激光修整穩(wěn)定的備選方法，前景尚不明朗。薄膜技術(shù)可以提供一種“更為綠色”或更為環(huán)保的電阻器，因?yàn)樗恍枰褂脦缀跛泻衲ば酒紩?huì)用到的含鉛玻璃。

發(fā)展
薄膜技術(shù)以及厚膜技術(shù)的一項(xiàng)最新發(fā)展是在給定的EIA標(biāo)準(zhǔn)片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進(jìn)步使得工程師能夠使設(shè)計(jì)小型化，而無須犧牲功率處理能力。對(duì)于增強(qiáng)電流設(shè)計(jì)、減小未來設(shè)計(jì)的尺寸、產(chǎn)出更小的最終產(chǎn)品或在同尺寸產(chǎn)品中提供更多功能而言，這項(xiàng)突破都是至關(guān)重要的。

影響薄膜技術(shù)批量應(yīng)用于片狀電阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價(jià)位要比最接近它的厚膜同類產(chǎn)品高10100倍。為了減少這種差異，供應(yīng)商需要對(duì)薄膜材料進(jìn)行完全重新設(shè)計(jì)，以滿足高速低成本生產(chǎn)的需要。它還需要開發(fā)一種高速的內(nèi)聯(lián)式薄膜制造工藝。降低成本的最后一步是將對(duì)薄膜材料的要求從高精度級(jí)別（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級(jí)別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項(xiàng)進(jìn)步可以同時(shí)應(yīng)用于價(jià)格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%20%的片狀電阻器。那可能是所有發(fā)展中最引人注目的一項(xiàng)。