溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時鐘電路

1 電路結(jié)構(gòu)
圖1給出刷新時鐘電路示意圖。電路左邊是一條反相器反饋鏈，反相器鏈輸出和使能信號EN共同控制一個兩輸入端的與非門，與非門的輸出連接上拉管MP1的柵極，下拉管MN1柵極和刷新電路的時鐘輸出；反相器鏈輸入端連接的是電容C1，而且反相器鏈的輸入端的第一個反相器是施密特反相器。電路的右邊是時鐘調(diào)整單元。時鐘調(diào)整單元主要由一條充放電的通路構(gòu)成，通路由3個基本的MOS管組成，其中上拉管MP1受與非門輸出控制，用于對電容C1進行充電；下拉管MN0也受與非門輸出控制，其狀態(tài)正好與MP1管相反，用于開啟放電通路，對電容C1進行放電；放電管MP0主要用于對電容C1放電，以Diodes方式連接。

2 電路工作原理
電路上電后，EN信號使能，電容C1沒有儲存電荷，Vcap點電壓為低電壓“0”，通過反相器鏈的反饋作用，N0點電壓是低電壓“0”，上拉管MP1開啟，下拉管MN1關(guān)閉，電源對電容C1充電，MP1的尺寸比較大，所以充電速度比較快，電容C1迅速被充到高電平。當(dāng)電容C1電壓超過了施密特反相器的上翻轉(zhuǎn)點(假設(shè)為VM+，VM+>Vdd／2)，反相器鏈開始轉(zhuǎn)變狀態(tài)，通過反相器鏈的傳播，在N0點處，電壓變?yōu)楦唠娖健?”，迫使上拉管MP1關(guān)閉，下拉管MN1開啟，電容C1停止充電，開始通過放電通路泄放電荷，電容電壓Vcap開始下降。當(dāng)電容電壓低于施密特反相器的下翻轉(zhuǎn)點(假設(shè)為VM-，VM-Vdd／2)，反相器狀態(tài)改變，經(jīng)過反相器鏈，N0點電壓處重新變?yōu)榈碗娖健?”，上拉管MP1開啟，下拉管MN1關(guān)閉，電容又重新開始充電過程。在反復(fù)的充放電過程中，電路在OUT點產(chǎn)生了振蕩時鐘。

對于MOS電容C1，可以近似認為是平板電容：
C*U=Q
式中：C為電容大小，U為電容電壓(即Vcap點電壓)。隨著放電通路開啟，電容C1中的電荷Q逐漸漏失，電容的大小C不變，電容電壓U開始下降。同時，對于放電通路，MP0管以DIODES方式連接，MP0一直處于飽和狀態(tài)，對于飽和電流公式：

式中：Vth是閾值電壓，Vgs是柵源電壓。Ugs對應(yīng)于電路上就是MP0管兩端電壓，又由于MN1是下拉管，尺寸大，所以放電通路開啟后，MP1管的柵端和漏端電壓基本等于地電壓，而且MP1管的源端又連接在電容上，所以，可以認為Vgs就是電容電壓。因為電容電壓隨著漏電下降，即Vgs隨漏電下降。所以根據(jù)飽和電流公式，電流Ids呈平方關(guān)系減小。隨著Ids減小，電容電荷漏失的速度變慢，電容電壓下降的速度也隨之變慢。
圖2說明的是以Diodes方式連接的晶體管，不同溫度下的電流和柵源電壓之間的關(guān)系。當(dāng)柵源電壓比較高的時候，高溫時的飽和漏電流比低溫時的電流要低；相反地，當(dāng)柵源電壓下降到閾值電壓附近，高溫時的飽和漏電流就比低溫時的電流要高。利用低柵源電壓的電流的溫度特性，高溫時，飽和漏電流Ids比低溫時大，電容C1的電壓下降得快，更快到達施密特反相器翻轉(zhuǎn)點VM-，電路振蕩時鐘周期就會比較短，相應(yīng)地，其頻率就更快，就能夠體現(xiàn)出時鐘溫度的特性。