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          多輸出轉(zhuǎn)換器的阻抗反射

          作者: 時(shí)間:2009-09-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          在圖2a中,將到另一個(gè)繞組。采用方程10和7,可以得出Ceq=(1 / j x C x ) x [N2/N3]2或Ceq=C x [N3 / N2]2(方程12)。注意,該方程與方程9互逆。
          如果根據(jù)上述結(jié)論討論,給定到初級(jí)端的結(jié)果可利用下列方程進(jìn)行計(jì)算:
          Zeq=Zload x (N1/N2)2(方程12b)假設(shè)N1=1,那么對(duì)于電阻,Zeq=Rload x (1/N2)2(方程12c)。對(duì)于電容,Zeq=1 / (2 x x f x Cload x N22)(方程12d)。對(duì)于電感,Zeq=2 x x f x Lload / N22(方程12e)。
          電容始終與等效的串聯(lián)電阻(ESR)相連,如圖3所示。電容C和電阻R串聯(lián)起來(lái)可得到復(fù)導(dǎo)納Y,計(jì)算方程為:
          Y=或(方程13)。若網(wǎng)絡(luò)時(shí)間常數(shù)=R x C,則其阻抗(方程14)。如果采用方程7,則初級(jí)端的等效阻抗為:
          (方程15)。
          當(dāng)兩個(gè)受到各自ESR影響的電容并聯(lián)時(shí),就會(huì)產(chǎn)生復(fù)阻抗并聯(lián)現(xiàn)象。然而,通過(guò)這種元件組合得到的總阻抗沒(méi)有簡(jiǎn)單的表達(dá)式。阻抗并聯(lián)時(shí)的導(dǎo)納表達(dá)式為:
          1. 假設(shè) R1 x C1=R2 x C2
          設(shè)Y1是R1.C1的導(dǎo)納,而Y2是R2.C2的導(dǎo)納。因此,Ytot=Y(jié)1+Y2
          Ytot==
          =(方程16)。采用方程13中的符號(hào),方程16可以改寫(xiě)為:Ytot=。如果1=2=,那么最后的導(dǎo)納可簡(jiǎn)化為:Ytot= (方程17),它與方程13相似,方程13中電容C是兩個(gè)電容的和(和并聯(lián)一樣),且ESR的值若與(C1+C2)結(jié)合,則可得出1或2的值。電阻Req=1 / (C1 + C2),可以從中推出Req=R1 // R2(因?yàn)槿鬎→埃則兩個(gè)電容都將短 )。
          因此,并聯(lián)兩個(gè)時(shí)間常數(shù)相同的串聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)R1-C1和 R2-C2時(shí),產(chǎn)生的等效串聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)由C=C1+C2和R=R1 // R2組成。
          2.假設(shè)R1 x C1≠R2 x C2
          根據(jù)方程16,簡(jiǎn)化表達(dá)式中的p并且忽略其中的1后得出:
          Ytot=(方程18),與方程13明顯不同。
          總之,時(shí)間常數(shù)不同的兩個(gè)并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)不能簡(jiǎn)化成一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188631.htm

          應(yīng)用于初級(jí)穩(wěn)壓電源
          在初級(jí)穩(wěn)壓電源應(yīng)用中,輔助繞組不僅提供控制器的電源Vcc,還提供輸出電壓的鏡象。若兩個(gè)繞組之間的耦合質(zhì)量良好,則電平相互之間的追蹤便能取得良好的效果。圖4為采用NCP1217設(shè)計(jì)的反擊電源。用齊納二極管和低成本的雙極型元件Q1確保反饋。由于反饋電平必須降低以減少功耗,因此該晶體管是必需的。穩(wěn)壓點(diǎn)實(shí)際上是D4的陽(yáng)極、電路Vcc引腳載入的FB點(diǎn)。首先應(yīng)將所有次級(jí)元件反射到初級(jí)端,將簡(jiǎn)化為單個(gè)輸出的版本。請(qǐng)注意:負(fù)載和控制器功耗一起反射,如同電阻在FB點(diǎn)上工作,而且在反射過(guò)程中,認(rèn)為D1和D3的動(dòng)態(tài)電阻接近零。
          反射步驟為:
          1. 將4負(fù)載反射到輔助繞組:4×(0.15 / 0.166)2=3.26
          2. 將輸出電容反射到輔助繞組:1×(0.166 / 0.15)2=1.22mF
          3. 用簡(jiǎn)單的電阻增加芯片功耗:12V/1mA=12k
          4. 由于電容和ESR的時(shí)間常數(shù)接近,因此可以將兩者合并。
          在最后的反射上可以定位典型極點(diǎn)和零點(diǎn),這兩點(diǎn)位于在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)中工作的反擊中。
          注意:Rload可以用更簡(jiǎn)單的方法推出。匝數(shù)比已知時(shí),12V輸出的反饋電壓為12×(0.15/0.166)= 10.84V。若在輸出上提供3A電流,則功率為36W。從輔助/FB電平來(lái)看,其等效負(fù)載為P=U2/R或 Req=10.842 / 36=3.26。

          SPICE適用于很多情況
          一般的SPICE模型使SMPS的穩(wěn)定性測(cè)試變得很簡(jiǎn)單。測(cè)試時(shí)無(wú)需反射電容、負(fù)載、電阻等,也無(wú)需調(diào)整并聯(lián)組合:這一切都由SPICE自動(dòng)完成。在本文的實(shí)例中,需要收集反擊段模型(電流或電壓模式),然后用原理圖完成變壓器配置。圖4的仿真電路如圖5所示。
          通過(guò)在輸出上安裝開(kāi)關(guān)并且逐步將它載入的方法,可以檢查電源的穩(wěn)定性。此外還可以比較周期間仿真的結(jié)果以驗(yàn)證該平均配置。
          電路上的功率MOSFET被行為級(jí)開(kāi)關(guān)代替,以加速仿真時(shí)間。通過(guò)觀測(cè)開(kāi)關(guān)啟動(dòng)時(shí)的輸出電壓,可以比較平均模型和周期間應(yīng)用的瞬態(tài)響應(yīng)。

          結(jié)語(yǔ)
          本文分析了對(duì)開(kāi)關(guān)模式(包括寄生元件,如輸出二極管的動(dòng)態(tài)電阻)進(jìn)行綜合穩(wěn)定性分析的重要性。若不進(jìn)行分析,在預(yù)測(cè)極點(diǎn)和零點(diǎn)位置時(shí)將產(chǎn)生較大誤差。隨著轉(zhuǎn)換器日益復(fù)雜(如增加次級(jí)電感濾波器),傳統(tǒng)的手工分析變得極為復(fù)雜。而SPICE提供了分析所需的靈活性,同時(shí)考慮到反射和動(dòng)態(tài)電阻,使工程師可像處理真實(shí)電路一樣設(shè)置仿真模板,并且順利地進(jìn)行AC分析。


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