TMS320VC55x系列DSP在線燒寫方法研究

3 并行Flash的燒寫
3．1 數(shù)據(jù)燒寫程序設(shè)計(jì)
Flash的數(shù)據(jù)可直接讀取，但對(duì)Flash的編程和擦除操作則需要通過一系列命令才能進(jìn)行。SST39VF200的寫操作只能將1變成0，而O變成l必須通過擦除操作進(jìn)行。所以每次寫Flash之前必須進(jìn)行片擦除，使存儲(chǔ)單元值變成0xFFFF才能進(jìn)行編程。擦除命令需要6個(gè)周期，編程命令需要4個(gè)周期，操作命令如表4所示H。

編程和擦除操作都需要一定周期的時(shí)間(SST39VF200的單字編程時(shí)間是14μs，整片擦除時(shí)間是70 ms)。用戶可以通過查詢標(biāo)志數(shù)據(jù)線DQ6和DQ7確定編程或擦除是否完畢。當(dāng)器件正處于編程或擦除狀態(tài)時(shí)，連續(xù)讀任意單元的值，D06的值將一直在O、l之間交替變化。當(dāng)編程或擦除結(jié)束時(shí)，讀DQ6則得到一個(gè)恒定值。這里即通過此方法判斷操作是否結(jié)束。
根據(jù)Flash的編程和擦除命令，編寫了相應(yīng)的C語言程序，其中在TMS320VC55x系列1)SP中，對(duì)外接存儲(chǔ)器的訪問要調(diào)用庫函數(shù)far_poke()和far_peek()。這2個(gè)函數(shù)包含在extaddr.h>頭文件中，并且尋址的地址為字地址。以下給出擦除程序，寫操作與此類似。表5為對(duì)外接存儲(chǔ)器讀寫的庫函數(shù)。

3．2 程序的燒寫實(shí)現(xiàn)
系統(tǒng)在CCS仿真環(huán)境下對(duì)Flash進(jìn)行在線編程。先建立一個(gè)Flash的燒寫工程，并在工程中將要燒寫進(jìn)Flash的自舉加載表文件通過CCS的LOADDATA功能直接加載進(jìn)DSP的內(nèi)存。根據(jù)加載的首地址和數(shù)據(jù)長度，在仿真環(huán)境下燒進(jìn)Flash中。當(dāng)然也可以直接在程序中定義一個(gè)數(shù)組，將DAT文件中的數(shù)據(jù)賦值給該數(shù)組的元素，然后將該數(shù)組的每個(gè)元素寫入Flash。在運(yùn)行燒寫程序之前，要先對(duì)EMIF進(jìn)行設(shè)置，因?yàn)镋MIF默認(rèn)的是接8位異步存儲(chǔ)器，可以通過調(diào)用GEL菜單中Init_CE0_Async_16命令完成。

4 結(jié)語
闡述了一種針對(duì)TMS320VC55x系列DSP簡單有效的Flash燒寫方法，并提出了程序自舉加載的實(shí)現(xiàn)方法。討論的加載方法包括硬件設(shè)計(jì)及相關(guān)程序，已在筆者實(shí)際開發(fā)的高精度數(shù)據(jù)采集項(xiàng)目中使用并成功運(yùn)行。