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          用ADS實現(xiàn)一個2.38 GHz全集成化低噪聲放大器設(shè)計

          作者: 時間:2009-06-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          1 引 言

          目前,在高達數(shù)的RF頻段范圍內(nèi),廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其優(yōu)點是能夠在功率增益高達20 dB的同時,使噪聲系數(shù)低至大約1 dB。但隨著CMOS電路技術(shù)的成熟,近來對RF CMOS電路元件的研究成果越來越多,在無線通信系統(tǒng)上也已經(jīng)實現(xiàn)了SoC化。如果CMOS制造技術(shù)能克服噪聲大,功率損耗大等缺點,憑借其低廉的價格,CMOS LNAs將有可能在數(shù)的RF頻段范圍內(nèi),逐漸取代GaAs MESFET LNAs。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188886.htm

          由于LNAs通常位于整個接收電路的第一級,由式(1)可以看出,第一級的LNAs對于接收電路有很大的影響。所有在設(shè)計LNA電路時,應(yīng)考慮降低噪聲,提高增益,輸入輸出阻抗匹配,降低功率損耗,提高線性度等重要因素。

          2 低噪聲放大器電路設(shè)計

          如圖1所示,設(shè)計一個cascode型輸入的低噪聲放大器。圖中Ls及Lg用來實現(xiàn)輸入阻抗匹配,而調(diào)整Ld和Cout可以實現(xiàn)輸出阻抗匹配。Cin可以用來阻止輸入端的直流信號。

          從輸入部分電路可以計算出輸入阻抗為:

          調(diào)整Ls使得輸入阻抗Zin實部為50 Ω,再調(diào)整Lg使得Zin虛部為0。如此即可調(diào)出Ls和Lg來實現(xiàn)電路的輸入阻抗。但是由于分布參數(shù)的影響,Ls和Lg的值還必須代入仿真軟件做進一步調(diào)整。

          對于放大器的輸出,由于放大器使用LC并聯(lián)電路作為負載,所以當(dāng)LC諧振在 時,理想的LC電路應(yīng)呈現(xiàn)出開路狀態(tài),此時負載最大,增益也最大。但是電路的增益仍然受到電感和電容的Q值影響,所以在進行軟件仿真時還需通過調(diào)整電感電容值來調(diào)整LNA的中心頻率。

          3 本LNA中無源器件的結(jié)構(gòu)

          由于此設(shè)計采用全設(shè)計,所以無源器件都用CMOS工藝制作在芯片內(nèi)部,即內(nèi)嵌式(on-chip)。

          3.1 電感結(jié)構(gòu)

          此電路中電感采用內(nèi)嵌式螺旋電感。采用內(nèi)嵌式電感可以節(jié)約面積,提高電路集成度,但是卻犧牲了Q值,并且在CMOS工藝中電感的制備比較難以控制,所以在實際layout時將螺旋電感的中心拿掉,因為越接近核心,電荷密度越大,但核心部分對電感值的貢獻不大,中心去掉不會對整個電感有太大影響,還可以提高Q值。

          3.1.1 電容結(jié)構(gòu)

          此電路中采用MIM(metal-insulator-metal)電容,是平板電容的一種變形,如圖3所示。這種電容的好處是容值較為固定,并且結(jié)構(gòu)簡單。相比一般平板電容,在上下級板中間多了一層CTM(Capacitor TopMetal)層,可以通過縮短兩極板之間的距離來提高容值或縮小電容所占面積。

          3.1.2 電阻結(jié)構(gòu)

          在當(dāng)前的CMOS工藝中,根據(jù)不同的材料和制備工藝,常用的電阻有Well電阻、Poly電阻、Diffusion電阻和Metal電阻。各種電阻的導(dǎo)電層特性如下:

          在設(shè)計的時候要注意,制作時電阻值越小誤差越大,所以材料選擇、使用面積和阻值誤差等要綜合考慮。

          4 仿真設(shè)計

          (1)確定設(shè)計目標(biāo)。本文中電路工作在藍牙系統(tǒng)中,工作頻率為 GHz,設(shè)計一個超低噪聲以及超高增益的LNA電路。

          (2)設(shè)計電路結(jié)構(gòu)。本電路基本結(jié)構(gòu)為cascode單級放大電路,再加上一些周邊的匹配電路和電壓偏置電路來構(gòu)成LNA電路。

          (3)本文使用安捷倫的系統(tǒng)來做高頻仿真,使用0.25μm的RF模型。主要仿真S參數(shù)、噪聲系數(shù)、線性度、功率增益等LNA電路的重要參數(shù)。

          (4)根據(jù)0.25μm制造工藝的layout規(guī)則來設(shè)計電路中的各個元件,并且盡量做到電路對稱。

          5 仿真結(jié)果

          本文電路使用0.25μm制造工藝,電源電壓2.5 V,工作頻率 GHz的全單端LNA電路。

          5.1 S參數(shù)仿真

          圖4是此電路在中的仿真結(jié)果,圖4(a)中S11是電路輸入反射系數(shù),為-12.203 dB;圖4(b)中S12為電路的隔絕度(isolation),避免LNA下一級的反射信號影響到LNA輸入端的信號,本電路中為-24.67 dB;圖4(c)中S21表示電路的功率增益,其值為20.47 dB;圖4(d)中S22為輸出反射系數(shù),大約為-22.33 dB。


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