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          EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

          集成專用驅(qū)動(dòng)器在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2009-04-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著各種用電設(shè)備的飛速發(fā)展,特別是通訊產(chǎn)業(yè)的突飛猛進(jìn),對(duì)電源不斷地提出新的要求:電功率要求不斷加大;電壓調(diào)節(jié)范圍要求越來(lái)越大;電流的穩(wěn)定性要求越來(lái)越高;紋波與噪聲要求越來(lái)越低;體積要求越來(lái)越小等。為了適應(yīng)這種現(xiàn)狀,的產(chǎn)生與發(fā)展成為了必然。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188969.htm

          由于遠(yuǎn)程供電的需要,需研制一臺(tái)高壓大功率直流。采用主要是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源功率可以做大、電壓可以做高、電壓調(diào)節(jié)范圍可以做廣。但是在整個(gè)研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路是比較困難且重要的環(huán)節(jié)。目前開(kāi)關(guān)電源的國(guó)內(nèi)外發(fā)展速度很快,技術(shù)非常成熟。20世紀(jì)90年代以來(lái),高頻變換技術(shù)飛速地發(fā)展,不斷涌現(xiàn)了新型電力電子器件,高智能化IC和新電路拓?fù)?,?chuàng)造出10年前意想不到的許多新型穩(wěn)壓電源?,F(xiàn)代電源技術(shù)正以空前的規(guī)模改造著傳統(tǒng)的舊式電器設(shè)備,廣泛進(jìn)入了國(guó)民經(jīng)濟(jì)和人類生活的各個(gè)領(lǐng)域。

          l驅(qū)動(dòng)電路的功能與特點(diǎn)

          開(kāi)關(guān)電源的形式與種類很多,盡管各種不同的開(kāi)關(guān)電源能達(dá)到的性能指標(biāo)也各不相同,但總是由以下幾個(gè)部分組成:

          (1)控制單元

          一般都是由專門的電路擔(dān)當(dāng)這部分工作,也有用單片機(jī)、DPS作為控制單元核心的,視具體需要而定。

          (2)功率元件

          目前一般使用IGBT和MOSFET;一般高頻中小功率情況下用場(chǎng)效應(yīng)管,大功率情況下用IGBT,其電路結(jié)構(gòu)上大同小異,柵極高電平(一般是10~20 V,常用的是15 V)導(dǎo)通,低電平(-5~0 V)截止。其作用是開(kāi)關(guān)電源的核心。

          (3)驅(qū)動(dòng)電路

          這部分是開(kāi)關(guān)電源的靈魂,是連接控制單元與功率管的橋梁??刂茊卧鰜?lái)的電平一般無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)功率管,需要有一個(gè)電平的轉(zhuǎn)換及電流驅(qū)動(dòng);對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路而言,功率管的柵極即為負(fù)載,一般的功率管柵源之間有一個(gè)寄生電容,故驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)載是一個(gè)容性負(fù)載,若驅(qū)動(dòng)電流不夠,或提高頻率,方波會(huì)產(chǎn)生畸變,無(wú)法達(dá)到設(shè)計(jì)目的。因此功率電子的驅(qū)動(dòng)是整個(gè)設(shè)計(jì)的重點(diǎn),也是難點(diǎn)。

          開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源中的功率開(kāi)關(guān)管要求在關(guān)斷時(shí)能迅速關(guān)斷,并能維持關(guān)斷期間的漏電流近似等于零;在導(dǎo)通時(shí)要求能迅速導(dǎo)通,并且維持導(dǎo)通期間的管壓降也近似等于零。開(kāi)關(guān)管趨于關(guān)斷時(shí)的下降時(shí)間和趨于導(dǎo)通時(shí)的上升時(shí)間的快慢是降低開(kāi)關(guān)晶體管損耗功率,提高開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源效率的主要因素。要縮短這兩個(gè)時(shí)間,除選擇高反壓、高速度、大功率開(kāi)關(guān)管以外,主要還取決于加在開(kāi)關(guān)管柵極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)波形的要求如下:

          ①驅(qū)動(dòng)波形的正向邊緣一定要陡,幅度要大,以便減小開(kāi)關(guān)管趨于導(dǎo)通時(shí)的上升時(shí)間;

          ②在維持導(dǎo)通期間內(nèi),要能保證開(kāi)關(guān)管處在飽和導(dǎo)通狀態(tài),以減小開(kāi)關(guān)管的正向?qū)ü軌航?,從而降低?dǎo)通期間開(kāi)關(guān)管的集電極功率損耗;

          ③當(dāng)正向驅(qū)動(dòng)結(jié)束時(shí),驅(qū)動(dòng)幅度要減小,以便使開(kāi)關(guān)管能很快地脫離飽和區(qū),以減小關(guān)閉儲(chǔ)存時(shí)問(wèn);

          ④驅(qū)動(dòng)波形的下降邊緣也一定要陡,幅度要大,以便減小開(kāi)關(guān)管趨于截止時(shí)的下降時(shí)間。理想的驅(qū)動(dòng)波形如圖1所示。其中圖1(a)是漏極電壓和電流波形圖,圖1(b)是柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形圖。

          2 IR2110柵極驅(qū)動(dòng)抗干擾技術(shù)

          IR2110是一種雙通道高壓、高速電壓型功率開(kāi)關(guān)器件柵極,具有自居浮動(dòng)電源,驅(qū)動(dòng)電路十分簡(jiǎn)單,只用一個(gè)電源可同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下橋臂。但是IR2110芯片有他本身的缺陷,不能產(chǎn)生負(fù)壓,在抗干擾方面比較薄弱,以下詳細(xì)結(jié)合實(shí)驗(yàn)介紹抗干擾技術(shù)。

          2.1 芯片功能簡(jiǎn)介

          IR2110包括:邏輯輸入、電平轉(zhuǎn)換、保護(hù)、上橋臂側(cè)輸出和下橋臂側(cè)輸出。邏輯輸入端采用施密特觸發(fā)電路,提高抗干擾能力。輸入邏輯電路與TTL/COMS電平兼容,其輸入引腳閾值為電源電壓Vdd的10%,各通道相對(duì)獨(dú)立。由于邏輯信號(hào)均通過(guò)電平耦合電路連接到各自的通道上,允許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有-5 V~+5 V的偏移量,并且能屏蔽小于50 ns脈沖,這樣便具有較理想的抗噪聲效果。兩個(gè)高壓MOS管推挽的最大灌入或輸出電流可達(dá)2 A,上橋臂通道可以承受500 V的電壓。輸入與輸出信號(hào)之間的傳導(dǎo)延時(shí)較小,開(kāi)通傳導(dǎo)延時(shí)為120 ns,關(guān)斷傳導(dǎo)延時(shí)為95 ns。電源VCC典型值為15 V,邏輯電源和模擬電源共用一個(gè)15 V電源,邏輯地和模擬地接在一起。輸出端設(shè)有對(duì)功率電源VCC的欠壓保護(hù),當(dāng)小于8.2 V時(shí),封鎖驅(qū)動(dòng)輸出。

          IR2110具有很多優(yōu)點(diǎn):自舉懸浮驅(qū)動(dòng)電源可同時(shí)驅(qū)動(dòng)同一橋臂的上、下兩個(gè)開(kāi)關(guān)器件,驅(qū)動(dòng)500 V主電路系統(tǒng),工作頻率高,可以達(dá)到500 kHz;具有電源欠壓保護(hù)相關(guān)斷邏輯;輸出用圖騰柱結(jié)構(gòu),驅(qū)動(dòng)峰值電流為2 A;兩通道設(shè)有低壓延時(shí)封鎖(50 ns)。芯片還有一個(gè)封鎖兩路輸出的保護(hù)端SD,在SD輸入高電平時(shí),兩路輸出均被封鎖。IR2110的優(yōu)點(diǎn),給實(shí)際系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大方便,特別是自舉懸浮驅(qū)動(dòng)電源大大簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì),只用一路電源即可完成上下橋臂兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)。IR2110的典型應(yīng)用電路如圖2所示。

          但是在這種電路的使用上存在很大的問(wèn)題,當(dāng)高壓側(cè)電壓緩慢地往上升時(shí)可以清楚地看見(jiàn)毛刺越來(lái)越嚴(yán)重,電壓很低時(shí)管子發(fā)熱嚴(yán)重,芯片很容易燒掉。這些問(wèn)題都是由于2 11 0自身的一些不足產(chǎn)生的,IR2110不能產(chǎn)生負(fù)偏壓,如果用于驅(qū)動(dòng)橋式電路,在半橋電感負(fù)載電路下運(yùn)行,處于關(guān)斷狀態(tài)下的IGBT,由于其反并聯(lián)二極管的恢復(fù)過(guò)程,將承受C-E電壓的急劇上升。此靜態(tài)的dv/dt通常比IGBT關(guān)斷時(shí)的上升率高。由于密勒效應(yīng),此dv/dt在集電極,柵極問(wèn)電容內(nèi)產(chǎn)生電流,流向柵極驅(qū)動(dòng)電路,如圖3所示。雖然在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)柵極電壓Vg為零,由于柵極電路的阻抗(柵極限流電阻Rg,引線電感Lg),該電流令VGE增加,趨向于VGE(th)。最嚴(yán)重的情況是該電壓達(dá)到閾值電壓,使IGBT導(dǎo)通,導(dǎo)致橋臂短路。IR2110驅(qū)動(dòng)輸出阻抗不夠小,沿柵極的灌人電流會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓上加上比較嚴(yán)重的毛刺干擾。

          2.2 IR2110改進(jìn)抗干擾電路

          2.2.1 帶電平箝位的IR2110驅(qū)動(dòng)電路

          針對(duì)IR2110的不足,對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了改進(jìn),可以采用在柵極限流電阻上反并聯(lián)一個(gè)二極管,但在大功率的環(huán)境下不太明顯。本文介紹的第一種方法就是下面如圖4所示電路。在關(guān)斷期間將柵極驅(qū)動(dòng)電平箝位到零電平。在橋臂上管開(kāi)通期間驅(qū)動(dòng)信號(hào)使Q1導(dǎo)通、Q2截止,正常驅(qū)動(dòng)。上管關(guān)斷期間,Q1截止,Q2柵極高電平,導(dǎo)通,將上管柵極電位拉到低電平(三極管的飽和壓降)。這樣,由于密勒效應(yīng)產(chǎn)生的電流從Q2中流過(guò),柵極驅(qū)動(dòng)上的毛刺可以大大的減小。下管工作原理與上管完全相同,不再累述。


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