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          微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

          作者: 時(shí)間:2009-04-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          0 引言
          微波是一種應(yīng)用非常廣泛的微波控制器件,可以用來制作微波開關(guān)、微波衰減器、微波限幅器、微波移相器等。
          在各類微波電路應(yīng)用中,特性強(qiáng)烈地影響著微波電路的性能。二極管效應(yīng)的研究包括對(duì)遷移率和載流子壽命的溫度特性的理論分析和實(shí)驗(yàn)研究。
          文中針對(duì)幾種不同結(jié)構(gòu)和鈍化材料的pin二極管,對(duì)其溫度性能進(jìn)行了研究,包括I區(qū)域載流子壽命與溫度的關(guān)系、遷移率與溫度的關(guān)系以及與溫度的關(guān)系,研究表明:pin二極管的溫度性能主要依賴于二極管結(jié)電容的大小。

          1 理論分析
          在微波工作狀態(tài)下,pin二極管的電阻與正向電流以及半導(dǎo)體材料參數(shù)相關(guān)??捎煤喕磉_(dá)式來表示

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188970.htm


          式中:W為I區(qū)的厚度;IF為正向電流;μ為I區(qū)雙極遷移率μ=μn+μp;τ為雙極載流子壽命。式中,遷移率和載流子壽命與溫度相關(guān),即對(duì)電阻的溫度性能有影響。
          1. 1 遷移率
          遷移率與溫度的關(guān)系比較復(fù)雜,但在一定的溫度范圍內(nèi),半導(dǎo)體體內(nèi)的雜質(zhì)已全部電離,本征激發(fā)還不十分明顯時(shí),載流子濃度基本不隨溫度變化,影響遷移率的諸多因素中,晶格散射起主要作用,遷移率隨溫度升高而降低。一些學(xué)者的研究結(jié)果表明,在一50~+200℃(223~473 K)內(nèi),遷移率和溫度的關(guān)系可表示為


          式中:n值為2~2.2;t0為常溫,通常定為25℃(298 K)。
          1.2 少數(shù)載流子壽命
          少數(shù)載流子壽命不僅受到體內(nèi)復(fù)合的影響,更為重要的是,很大程度上受表面狀態(tài)的影響,τ是一個(gè)結(jié)構(gòu)靈敏參數(shù),是體內(nèi)復(fù)合和表面復(fù)合的綜合結(jié)果,可表示為


          式中:τv是體內(nèi)復(fù)合壽命;τs是表面復(fù)合壽命。
          研究發(fā)現(xiàn):載流子壽命隨溫度的增加而增加,可表示為


          式中m稱之為載流子壽命因子。
          1.3 載流子壽命因子與電阻
          比較式(2)和式(4),在一50~+200℃(223~473 K)內(nèi)(微波pin二極管通常的工作溫度范圍),令n=2,則得到微波pin二極管電阻的溫度特性為


          由式(5)可以看出,電阻的溫度特性取決于遷移率和少數(shù)載流子壽命溫度特性的綜合結(jié)果。
          圖1是以載流子壽命因子m為參數(shù),由式(5)得到的歸一化電阻與溫度的關(guān)系曲線。圖1表明,pin二極管的電阻可以隨載流子壽命的增加而增加,也可以是減少或保持不變,當(dāng)m=2時(shí),pin二極管的電阻不隨溫度變化。

          影響載流子壽命因子m值的因素很多,包括:二極管幾何結(jié)構(gòu)(I區(qū)域的寬度、結(jié)直徑、結(jié)形狀等)、表面鈍化材料的電學(xué)性質(zhì),以及本征層的載流子濃度等。這些因素中,由于pin二極管的工區(qū)域的載流子濃度一般不高于1014cm-3,當(dāng)外延材料雜質(zhì)濃度穩(wěn)定且缺陷很少時(shí),外延材料參數(shù)對(duì)載流子壽命因子的影響可以忽略。需要重點(diǎn)研究的是二極管幾何結(jié)構(gòu)、表面鈍化材料對(duì)壽命因子m值的影響。


          2 實(shí)驗(yàn)和分析
          2.1 實(shí)驗(yàn)
          研究了以下幾種不同結(jié)構(gòu)和鈍化材料的pin二極管電阻的溫度性能。
          二極管A:臺(tái)式結(jié)構(gòu),鉛玻璃鈍化,結(jié)電容小,I層厚度為21μm;
          二極管B:臺(tái)式結(jié)構(gòu),Si3N4/Si02復(fù)合介質(zhì)膜鈍化,結(jié)電容最小,擊穿電壓低,I層厚度為5μm;
          二極管C:平面結(jié)構(gòu),Si3N4/Si02復(fù)合介質(zhì)膜鈍化,結(jié)電容大,I層厚度為13μm;
          二極管D:臺(tái)式結(jié)構(gòu),玻璃鈍化,結(jié)電容最大,I層厚度為85μm。
          表l和表2是四種二極管的常溫和高低溫下電參數(shù)測(cè)試結(jié)果。

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