將汽車IC中的閂鎖敏感度降至最低

　　對于半導體供應商而言，要對汽車應用的新IC設計進行合格驗證，通過閂鎖免疫性測試是一項挑戰(zhàn)。芯片設計人員可能需要在裸片上增加關鍵晶體管的物理間隔，但實際上，此舉不會帶來任何明顯的好處，在某些情況下甚至還可能產(chǎn)生某些副作用。理解其原因以及如何預測閂鎖閾值，就可以應用有效的布線技巧和保護結構，滿足閂鎖免疫目標的最佳實踐方法。

　　理解閂鎖

　　當在兩個PNP和NPN雙極晶體管結構之間創(chuàng)建一個寄生可控硅整流器(SCR)時，閂鎖問題可能就會出現(xiàn)，如圖1所示。在某些條件下，SCR能夠進入陽極與陰極之間的自持續(xù)和低阻抗狀態(tài)，要從這個狀態(tài)恢復是不可能的。

　　閂鎖的發(fā)生可以通過可控硅整流器進入這種狀態(tài)時的主要特性參數(shù)來分析。這些特性參數(shù)包括觸發(fā)電壓(Vt1)、維持電流(Ih)和導通阻抗(Ron)。當 SCR陽極電壓到達VT1的值時，測量電壓會有突然且明顯的下降，并伴隨有電流浪涌。這就歸結到“驟回(snap back)”。如果消除激勵(stimulus)，電路可從這個狀態(tài)恢復，并返回至正常操作。另一方面，如果電流持續(xù)增加至高于Ih，器件就“閂鎖”。一旦閂鎖，電源會支持電流流入SCR，直至電源移除或器件損壞，該器件不會返回至正常操作狀態(tài)。

　　預測閂鎖閾值

　　寄生可控硅整流器的維持電流決定著IC的閂鎖閾值。預測這個閾值是確保最終芯片設計免疫性的第一步。首先，需要了解影響閾值的因素。實踐中，Ih幾乎完全由兩個寄生電阻的值確定；這兩個寄生電阻設定相應雙極晶體管的偏置條件?？梢砸昇MOS和PMOS晶體管之間的物理隔離對閂鎖免疫性沒有實際影響。實際上，布線錯誤可能會導致兩個間距相隔1,000μm的器件之間發(fā)生閂鎖。

　　在圖2中，寄生電阻顯示為R1和R2。下面的例子詳述了導致閂鎖發(fā)生的事件序列，并顯示閂鎖閾值可以如何預測。就圖2而言：

　　 節(jié)點A(PMOS漏極)被迫至比Vsupply(節(jié)點B)更高的電位

　　 P-N結(A-B)將正向偏置，讓電流流經(jīng)N阱(N-well)

　　 如果外部能源(驅(qū)動節(jié)點A)能夠提供200 mA電流，R2必須小于3Ω，以防止縱向PNP晶體管激活

　　Vbe = Ifault * R2

　　0.6 = 200 mA * 3 Ω

　　 如果被激活，通過PNP晶體管流進襯底的電流將驅(qū)動電流流過R1(退出通道)

　　 如果R1的值大至能夠拓展出所需Vbe及可用電流，內(nèi)部正反饋將引發(fā)閂鎖

　　 使用R1、R2更實際的值25Ω和15Ω，預測下列閂鎖閾值：

　　0.6 = Ith1 * 25

　　0.6 = Ith2 * 15

　　Ith1 = 24 mA

　　Ith2 = 40 mA

　　 R1和R2的這些值預測總共達64mA 的閂鎖閾值(Ith1和Ith2為并行通道)

　　 很顯然，如果外部故障能夠提供200mA電流，R1和R2都必須小于6Ω以防止閂鎖

　　如果發(fā)生閂鎖，這種狀態(tài)可能持續(xù)，因為節(jié)點B(由電源驅(qū)動至IC)由第二個PNP晶體管組成。一旦NPN積極地從N阱拉電流，電流將由兩個基極區(qū)域提供。因此，由于第二個PNP晶體管的活動，閂鎖狀態(tài)在故障電流消除后能夠持續(xù)。

　　在設計用于汽車應用的IC這類高壓結構中，漏極通常擴展至高位VDD。這種物理延伸增加了R1和R2的值，導致了更大的閂鎖敏感度。