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          前置運算放大器的噪聲分析與設計

          作者: 時間:2008-09-10 來源:網絡 收藏
          D類音頻功率放大器中,前置是一個比較重要的模塊,它位于整個拓撲結構中的前面,完成輸入信號源的加工處理,或者實現放大增益的設置,或者實現阻抗變換的目的,使其和后面功率放大級的輸入靈敏度相匹配;前置放大器獲得并穩(wěn)定輸入音頻信號,并確保差動信號,設計時需要盡量減小其等效輸入的閃爍噪聲及熱噪聲,降低輸出電阻,增加其PSRR、CMRR、SNR、頻帶寬度、轉換效率等參數。

          一般來說,雙極晶體管的閃爍噪聲具有較低的轉角頻率(閃爍噪聲和熱噪聲的交叉點),低于MOS晶體管的閃爍噪聲,在音頻等低頻的設計系統(tǒng)中,應用雙極晶體管的設計有利于降低噪聲,然而在混合信號電路的設計中,襯底噪聲對雙極晶體管就有很大的影響,所以在混合信號電路設計中,更多的使用MOS晶體管,因此這里提到的運放就采用CMOS工藝完成了相應的設計。

          1 音頻功放中前置的功能

          如圖1所示,D類音頻功率放大器主要由以下幾個模塊組成:前置、調制級、偏置、控制級、驅動級及輸出功率管級(BTL);前置運算放大器位于整個結構的最初端,本設計中,要求前置運放有正常工作模式(play)及噪聲抑制工作模式(mute)兩種工作模式,在正常工作模式下,運放接收信號源,正常工作,后面各級完成相應調制及信號的再生;在噪聲抑制工作模式下,運放停止接收輸入信號源,差分輸出端各被鉗制在固定的電壓下,其它模塊正常工作,BTL輸出端為相同的輸出方波,在負載上,看不到信號的再生重現,此時處于靜音狀態(tài),使用靜噪狀態(tài)的主要作用是抑制開關機時候的爆裂(pop)噪聲,其實現的電路內部結構如圖2所示。

          2 前置運算放大器的噪聲特性

          運算放大器電路中存在5種噪聲源:散粒噪聲(Shot Noise)、熱噪聲(Thermal Noise)、閃爍噪聲(Flicker Noise)、爆裂噪聲(Burst Noise)、雪崩噪聲(Avalanche Noise),對于CMOS工藝,散粒噪聲、爆裂噪聲和雪崩噪聲在運算放大器電路中通常沒有太大影響,即使有,也能夠消除,在中可以不予考慮。

          2.1 噪聲模型

          電阻的噪聲主要是熱噪聲。該噪聲可以等效為一個理想的無噪聲電阻串連一個電壓源,或并聯(lián)一個電流源作為它的噪聲模型,其等效的噪聲電流及電壓分別為:

          運算放大器制造商提供的噪聲指標,通常是指在運算放大器輸入端測試的噪聲,包括熱噪聲及閃爍噪聲。而運算放大器內部的噪聲通過內部等效來描述,運算放大器內部可視為一個理想的無噪聲運算放大器(Noisless OpAmp),通過在理想無噪聲運算放大器的同相輸入端串聯(lián)一個噪聲電壓源,同相、反相輸人端到地分別串聯(lián)一個噪聲電流源,來表征內部噪聲,對于單管NMOS或者PMOS,它們的等效噪聲電流及噪聲電壓分別為:

          上面各式及下面提到的公式中,K為Boltzmann常數,T是熱力學溫度,gm為晶體管的跨導。k是MOS晶體管閃爍噪聲系數,W,L分別為MOS晶體管的有效柵寬度和長度,Cox是單位面積的柵氧化層電容。

          2.2 前置運算放大器的

          音頻功率放大器中的前置運放,其噪聲模型可以如圖4所示,R1、R2是輸入電阻,R3、R4是反饋電阻,R3和R4為可調電阻,用于設置其整個功放的增益,e1、e2、e3、e4分別為4個電阻的熱噪聲電壓,4個電阻對輸入的噪聲影響電壓分別為:

          其前置運算放大器的噪聲為電阻噪聲與其運放內部噪聲的總和,下面就分析運放內部噪聲。

          2.3 全差分運放的內部

          我們知道,噪聲設計的關鍵是輸入級的低噪聲設計,因此在大多數運放設計的時候,第一級的關鍵不是增益的設計,因為這一級的噪聲大小直接決定了整個運放的噪聲特性。PMOS管比NMOS管的噪聲系數低,利于減小其輸入噪聲電壓,因此輸入級常采用:PMOS管差分輸入結構。圖5就是運放輸入級的噪聲分析圖,輸入管為PMOS。

          差分管的源極接到同一點上,那么電流源負載的噪聲就是相關噪聲源,其等效到Mp1和Mp2上的噪聲由于差動的作用就可以相互抵消,從而減小了電路的噪聲。Mp1、Mp2為輸入差分對管。另外,對于Mn3管,噪聲電壓對輸入的影響也可以忽略。

          3 電路設計及物理層設計

          由以上噪聲特性的分析可以看出,要改善運算放大器的噪聲需要選擇合適的電阻及合適的MOS管的柵寬長比,本文應用Winbond 0.5μ CMOS典型工藝,對運放噪聲進行了分析,如圖6和圖7,其中L1L2L3。

          由圖6和圖7可以看出,輸入管及負載管L越大,噪聲特性越好,但由于版圖及穩(wěn)定性的要求,不可能使用過大的L值;通過同樣的仿真,對輸入的寬長比,我們也可以得到類似的結論;因此,本文的運放選擇合適的電阻及輸入級和負載管的寬長比,完成了很好的設計,圖8給出了詳細電路圖,且表1給出了其設計的基本仿真結果。

          由表1仿真結果可以看出,運放采用低靜態(tài)電流設計,實現較低的噪盧特性、較高的電源抑制比,及較快的轉換速率等。

          圖9是前置運算放大器在功率放大器中的完整版圖,使用Winbond 0.5μCMOS工藝,此工藝本身對襯底的噪聲有一定的抑制,對音頻功率放大器的設計提供了很好的前提,上圖的3個框分別為外部反饋電阻、運算放大器內部結構及內部調零電阻,并且很好地實現了電阻電容及晶體管的匹配。

          4 結束語

          噪聲是運算放大器非常重要的參數,它決定了整個系統(tǒng)的靈敏度,本文從噪聲這個參數入手,分析了音頻放大器中前置運放的噪聲特性,給出了改善噪聲的方法,并用winbond 0.5μCMOS工藝完成了相關設計。

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