SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。

　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。

　　比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管(SBD)。在SiC相關國際學會“ICSCRM2013”(2013年9月29日～10月4日舉行)上，該公司比較了該試制SBD與原來利用230μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD的導通電阻值。50μm產(chǎn)品的導通電阻為0.22mΩcm2，減小到了230μm產(chǎn)品的0.48mΩcm2的一半以下。

　　三菱電機也利用90μm厚的SiC基片試制了耐壓1.2kV的SiCSBD。該公司在ICSCRM2013發(fā)表了相關成果，雖未公布具體的導通電阻值，但與使用約300μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD相比，導通電阻減小了0.4mΩcm2。

　　另外，英飛凌也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二極管的研發(fā)。該公司在2013年5月舉行的功率半導體國際學會“ISPSD2013”(日本電氣學會主辦)上發(fā)表了將基片減薄至110μm的耐壓650V的SiC二極管。