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          意法半導(dǎo)體推出世界上最小的采用180納米互補(bǔ)MOS技術(shù)的嵌入式閃存

          作者:電子設(shè)計應(yīng)用 時間:2003-07-08 來源:電子設(shè)計應(yīng)用 收藏
          世界知名的半導(dǎo)體制造商半導(dǎo)體(紐約股票交易所:STM)今日宣布即將開始供應(yīng)世界上首次批量生產(chǎn)的采用先進(jìn)的180nm互補(bǔ)MOS技術(shù)的嵌入式閃存。ST的180nm嵌入閃存技術(shù)創(chuàng)造了世界上最小的單元尺寸,每個閃存單元僅占硅片面積0.37um2。極小的單元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存儲陣列所需的硅面積,從而降低了芯片的制造成本。

          這項新技術(shù)特別適合汽車應(yīng)用。在汽車應(yīng)用中,嵌入式閃存廣泛用于主要功能的片上系統(tǒng)解決方案(SoC),如發(fā)動機(jī)管理單元和導(dǎo)航及信息系統(tǒng)。這項技術(shù)支持主流核心控制器如汽車應(yīng)用中被廣泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10,以及多處理器體系結(jié)構(gòu)。內(nèi)置這些核心的演示芯片正在接受用戶在全溫度范圍的驗證。

          ST公司副總裁兼非易失性存儲器工藝開發(fā)主任Paolo Cappelletti說:“世界上第一個大批量生產(chǎn)的180nm嵌入式閃存技術(shù)和業(yè)內(nèi)最小的單元尺寸的雙重成就,使ST穩(wěn)穩(wěn)地處于嵌入閃存技術(shù)的最前沿,而且對于我們的片上系統(tǒng)產(chǎn)品組合具有重要的意義?!?BR>
          這個180nm嵌入式閃存技術(shù)完全兼容基本的180nm邏輯工藝(單元庫和核心),宏單元十分靈活,可以快速定義高達(dá)10兆位的用戶指定的存儲陣列,扇區(qū)可以劃分到最小8千字節(jié)。此外,宏單元還具有內(nèi)部自測試(BIST)特性。

          半導(dǎo)體是第一個推出嵌入閃存的微控制器的半導(dǎo)體制造商,是今天含有嵌入式閃存的片上系統(tǒng)器件的世界知名制造商之一。這些器件廣泛用于汽車、通信、消費(fèi)和計算機(jī)外設(shè)等應(yīng)用。



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