熱阻測(cè)試原理與失效分析
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2．2 熱阻測(cè)試預(yù)判斷失效
熱阻測(cè)試前的預(yù)判斷測(cè)試項(xiàng)目IF>50 A、IG>500 mA、VT1>4 V、VT0．1 V發(fā)生失效，實(shí)際上并不是真實(shí)的熱阻失效，而是產(chǎn)品開短路或漏電過大或測(cè)試設(shè)備不良導(dǎo)致的。所以，這一類失效，此時(shí)并不需要分析熱阻，而是要分析測(cè)試設(shè)備是否有問題，產(chǎn)品是否開短路或漏電。
2．3 熱阻低于規(guī)范值
真正的熱阻測(cè)試失效有兩種情況，一類是低于規(guī)范值、一類是高于規(guī)范值。熱阻測(cè)試規(guī)范中設(shè)置下限，實(shí)際足為了防止混管，實(shí)際上，熱阻越小越好，所以當(dāng)熱阻低于規(guī)范值時(shí)，只需要確認(rèn)是否混管或誤測(cè)，如果鄙不是，可以直接放寬規(guī)范下限或取消規(guī)范下限，將不良品復(fù)測(cè)即可。
2．4 熱阻測(cè)試高于規(guī)范值
熱阻高于規(guī)范值失效，目前，已知可能的原因有以下幾種：
①上芯空洞超標(biāo)、結(jié)合不良；
②錫層厚度偏厚、傾斜；
③芯片內(nèi)阻大；
④測(cè)試規(guī)范上限設(shè)置過于嚴(yán)格；
⑤測(cè)試條件設(shè)置不合理；
(1)空洞超標(biāo)、結(jié)合不良
空洞超標(biāo)、結(jié)合不良會(huì)導(dǎo)致熱阻偏大，是由于空氣的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)小于錫?？諝庠跇?biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的導(dǎo)熱系數(shù)是0．0244 W／(m．k)，而錫的導(dǎo)熱系數(shù)是67 W／(m．k)，相差近3000倍。所以空洞對(duì)熱阻的影響是非常大的，遠(yuǎn)大于錫層偏厚或傾斜的影響。熱阻分布如圖4所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/192806.htm
(2)錫層厚度偏厚、傾斜
錫層厚度偏厚或傾斜，增加了熱傳導(dǎo)的距離，一定程度上使產(chǎn)品溫度上升較快，導(dǎo)致熱阻偏大，但其影響遠(yuǎn)低于空洞或產(chǎn)品自身內(nèi)阻增加造成的熱阻偏大。熱阻分布如圖5所示。
(3)芯片內(nèi)阻偏大
當(dāng)芯片內(nèi)阻偏大時(shí)，產(chǎn)生的熱量會(huì)明顯增加，導(dǎo)致產(chǎn)品溫度上升，熱阻增加。熱阻分布如圖6所示。
評(píng)論