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	 > 測試測量 > 設計應用 > 一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片
          
						
          
				作者：
				時間：2013-03-25
				來源：網絡
				
				
				
				
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          1．2 帶EBG結構的片上天線
                     我們將圖2中的EBG結構應用到片上天線的設計中，如圖4所示。該EBG結構加載到一根片上偶極子天線的輸入端。該一種小型化具諧波抑制功能的偶極子天線的長度為1.6mm。
           圖5為本設計的片上天線對的仿真布局圖及仿真所得的S參數。一對帶EBG結構的片上偶極子天線相距3 mm的距離相對放置在地面上。仿真所得的該天線的諧振頻率為20 CHz。通常，在硅襯底(εr=11．9)上，工作在20 GHz的普通片上半波偶極子天線長度大約為4 mm，而本次設計的天線長度僅為1．6 mm，極大的縮短了天線的尺寸。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/192823.htm
          d.JPG

           同時，該帶EBC結構的小型化片上天線在三次諧波附近(60 GHz)，其S21為-63 dB，其三次諧波被極大的抑制。
          
				
            
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            CMOS
                        EBG
                        制造
                        天線
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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          技術專區(qū)
          
      
          
      
          
			
      
           
       

          

   











          
	
          
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