測(cè)試嵌入式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)

隨著SoC設(shè)計(jì)向存儲(chǔ)器比例大于邏輯部分比例的方向發(fā)展，高質(zhì)量的存儲(chǔ)器測(cè)試策略顯得尤為重要。存儲(chǔ)器內(nèi)置自測(cè)試(BIST)技術(shù)以合理的面積開(kāi)銷(xiāo)來(lái)對(duì)單個(gè)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行徹底的測(cè)試，可提高DPM、產(chǎn)品質(zhì)量及良品率，因而正成為測(cè)試嵌入式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。

半導(dǎo)體行業(yè)向納米技術(shù)的轉(zhuǎn)移已經(jīng)引起人們對(duì)制造測(cè)試工藝的重新思考。由于早先的良品率要大大低于采用更大規(guī)模工藝技術(shù)所獲得 的良品率，并且新缺陷類(lèi)型正在不斷出現(xiàn)，故半導(dǎo)體制造測(cè)試將在保證產(chǎn)品質(zhì)量方面扮演著更加重要的角色。在傳統(tǒng)上，測(cè)試技術(shù)主要集中在設(shè)計(jì)的邏輯部分上，但 統(tǒng)計(jì)資料顯示：今天的設(shè)計(jì)已經(jīng)普遍含有50%的嵌入式存儲(chǔ)器，且這部分的比例預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年中還會(huì)加大。很明顯，為實(shí)現(xiàn)全面的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)測(cè)試， 必須制定一種高質(zhì)量的存儲(chǔ)器測(cè)試策略。

存儲(chǔ)器緊湊的結(jié)構(gòu)特征使其更容易受到各類(lèi)缺陷的影響。存儲(chǔ)器陣列工作模式本質(zhì)上主要是模擬的，來(lái)自存儲(chǔ)器件的弱信號(hào)被放大 到適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)強(qiáng)度，且存儲(chǔ)器單元的信號(hào)傳輸只涉及到很少的電荷。所有這些設(shè)計(jì)特點(diǎn)都使存儲(chǔ)器陣列更容易受到錯(cuò)綜復(fù)雜的制造缺陷的影響。而緊密的存儲(chǔ)器陣列 封裝造成了這樣一種情況，即相鄰單元的狀態(tài)在存在缺陷的情況下可能會(huì)發(fā)生誤操作，因此某些缺陷可能只在特定的數(shù)據(jù)模式下才會(huì)暴露。此外，這些缺陷類(lèi)型很多 是具有時(shí)間相關(guān)性的，因此只有在正常工作頻率下才會(huì)被發(fā)現(xiàn)。

存儲(chǔ)器內(nèi)置自測(cè)試(BIST)是SoC設(shè)計(jì)中用來(lái)測(cè)試嵌入式存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，它以合理的面積開(kāi)銷(xiāo)來(lái)對(duì)單個(gè)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行徹底的測(cè)試。最常見(jiàn)的存儲(chǔ)器BIST類(lèi)型包括可完成三項(xiàng)基本操作的有限狀態(tài)機(jī)(FSM)： 將測(cè)試模版(pattern)寫(xiě)入存儲(chǔ)器、讀回這些模版并將其與預(yù)期的結(jié)果進(jìn)行比較。為對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行存取，存儲(chǔ)器BIST一般將測(cè)試多路復(fù)用器插入 到地址、數(shù)據(jù)及控制線路中。存儲(chǔ)器BIST完成的最普遍測(cè)試類(lèi)型為“March”型算法，該算法可檢測(cè)出絕大多數(shù)常見(jiàn)的存儲(chǔ)器缺陷，包括粘著、尋址出錯(cuò)及 耦合問(wèn)題等。

目前一組“March”算法已被開(kāi)發(fā)出，并在大多數(shù)情況下構(gòu)成了一個(gè)高效嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試方法集的核心。但隨著SoC設(shè)計(jì) 向納米技術(shù)轉(zhuǎn)移，制造商們會(huì)關(guān)心不斷增加的、逃過(guò)這些測(cè)試的存儲(chǔ)器缺陷數(shù)量?；谶@一原因，存儲(chǔ)器測(cè)試工程師們目前正在繼續(xù)開(kāi)發(fā)新的“March”算法變 體。隨著存儲(chǔ)器尺寸的日趨縮小以及新型存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)，這種趨勢(shì)肯定還會(huì)繼續(xù)。毋庸置疑，存儲(chǔ)器BIST工具將提供足夠的靈活性來(lái)跟上這一發(fā)展趨勢(shì)。

全速(at-speed)測(cè)試的新挑戰(zhàn)

如今很多公司發(fā)現(xiàn)，所有嵌入式存儲(chǔ)器的全速測(cè)試均要求能保持在一種可接受的“每百萬(wàn)片缺陷數(shù)”(DPM)水平上，也只有通過(guò) 全速測(cè)試，廠商們才能相信存儲(chǔ)器在終端應(yīng)用的常規(guī)運(yùn)行中會(huì)正確工作。當(dāng)嵌入式存儲(chǔ)器工作在較高頻率上時(shí)，許多存儲(chǔ)器BIST結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)可能并不是全速運(yùn) 行。幸運(yùn)的是，當(dāng)前在存儲(chǔ)器BIST技術(shù)上所取得的進(jìn)步允許使用全速測(cè)試算法，即使在存儲(chǔ)器工作頻率接近1GHz時(shí)。

實(shí)現(xiàn)全速存儲(chǔ)器BIST操作的一個(gè)巨大進(jìn)步是使用測(cè)試流水線，它能提供以下幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：首先人們需要考慮由存儲(chǔ)器 BIST完成的三個(gè)主要步驟即，寫(xiě)入測(cè)試模版、讀取該模版然后再將其與預(yù)期的結(jié)果進(jìn)行比較。流水線使得這三個(gè)步驟可以并行進(jìn)行。在寫(xiě)入新的數(shù)據(jù)的同時(shí)，以 前讀取的結(jié)果被記錄，且在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)還可對(duì)以前讀取結(jié)果進(jìn)行比較操作，這能將測(cè)試時(shí)間縮短三分之二，而且，對(duì)存儲(chǔ)器的高速操作也能發(fā)現(xiàn)那些在非流水線 處理中所無(wú)法察覺(jué)的缺陷。

流水線存儲(chǔ)器BIST架構(gòu)也使其在測(cè)試極高速度存儲(chǔ)器時(shí)易于滿(mǎn)足時(shí)序要求，增加的注冊(cè)意味著可縮短電路測(cè)試中的關(guān)鍵路徑長(zhǎng)度。這些時(shí)間上的節(jié)省，也意味著全速測(cè)試提供額外的質(zhì)量保證可適用于更大批量的嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試。

全速測(cè)試的應(yīng)用因嵌入式測(cè)試多路復(fù)用器的使用而變得更為容易實(shí)現(xiàn)，擁有直接設(shè)計(jì)進(jìn)存儲(chǔ)器中的多路復(fù)用器，意味著所增加的 BIST結(jié)構(gòu)將只對(duì)系統(tǒng)線路延時(shí)產(chǎn)生最小的影響；此外，嵌入式存儲(chǔ)器供應(yīng)商還可對(duì)嵌入式測(cè)試多路復(fù)用器進(jìn)行優(yōu)化以進(jìn)一步減少延時(shí)影響。重要的是，存儲(chǔ)器 BIST應(yīng)用工具以這些嵌入式多路復(fù)用器來(lái)辨識(shí)存儲(chǔ)器，從而無(wú)需手動(dòng)修改網(wǎng)表即能對(duì)它們加以利用。

全速診斷

與確定哪些嵌入式存儲(chǔ)器存在缺陷同樣重要的是分析缺陷產(chǎn)生的原因，而將缺陷診斷電路包含進(jìn)存儲(chǔ)器BIST中正在納米設(shè)計(jì)中變 得日益普遍。但許多存儲(chǔ)器測(cè)試診斷電路目前還不能進(jìn)行正確的全速測(cè)試，在存儲(chǔ)器缺陷診斷中采用速度相對(duì)較慢的時(shí)鐘來(lái)將缺陷數(shù)據(jù)輸送給測(cè)試器就會(huì)暴露出這一 問(wèn)題。如果存在多個(gè)缺陷，則BIST必須停止以等待缺陷數(shù)據(jù)輸送給測(cè)試器。但如果BIST在數(shù)據(jù)輸送完以后即簡(jiǎn)單地重新開(kāi)始，則全速測(cè)試模型將被破壞，而 缺陷也就有可能被漏掉。為解決這一問(wèn)題，存儲(chǔ)器BIST必須能重啟測(cè)試，以返回到以前的地址上并跳過(guò)那些已經(jīng)報(bào)告的缺陷。這使得BIST能獲得一次新的運(yùn) 行啟動(dòng)，以確保診斷分析期間能將測(cè)試模版正確地應(yīng)用到所有存儲(chǔ)器單元上，并使其達(dá)到全速。

可實(shí)現(xiàn)March算法定制變體的靈活存儲(chǔ)器BIST引擎加上增強(qiáng)的全速應(yīng)用，為確保對(duì)具有數(shù)百個(gè)嵌入式存儲(chǔ)器的SoC設(shè)計(jì)進(jìn)行高質(zhì)量的測(cè)試提供了一個(gè)堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著芯片設(shè)計(jì)向存儲(chǔ)器多于邏輯單元的方向發(fā)展，存儲(chǔ)器BIST將成為提高DPM、產(chǎn)品質(zhì)量及良品率的主要功臣。