鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用

鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術(shù)具有高頻特性，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用在電子測(cè)試產(chǎn)品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高頻示波器，帶寬高達(dá)15GHz，那么什么是SiGe技術(shù)呢？

SiGe技術(shù)具有很多極具吸引力的優(yōu)點(diǎn)。作為硅材料中的“小兄弟”，SiGe既擁有硅工藝的集成度和成本優(yōu)勢(shì)，又具有第3類到第5類半導(dǎo)體（GaAs）和磷化銦（lnP）速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設(shè)計(jì)器件隨溫度進(jìn)行變化。

實(shí)驗(yàn)證明，SiGe器件的工作頻率可高達(dá)350GHz，而普通的硅芯片的工作頻率只能達(dá)到幾個(gè)GHz，而且其電池速度為普通硅半導(dǎo)體的2到4倍。SiGe器件還在噪聲、功效、散熱性能方面優(yōu)于第3至第5類雙極晶體管，硅基片的熱導(dǎo)率是砷化鎵（GaAs）的3倍。

Ge現(xiàn)已成為越來越被廣泛應(yīng)用的器件，其高頻特性、擊穿電壓和集成能力可以滿足多方面需要，是非常有前途的技術(shù)，能夠滿足一些可以預(yù)見的未來集成的需要。