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          睡覺(jué)晶體介紹及其與DLD的關(guān)系

          作者: 時(shí)間:2012-02-18 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          H.晶體的γ比值

          當(dāng)我們隨機(jī)抽測(cè)晶體時(shí),我們是否可測(cè)試到晶體目前的狀態(tài)是怎樣的?是“睡眠”,是“蘇醒”,還是“半睡,半醒”呢?又或者,有沒(méi)有某些測(cè)試方法可更有效,可靠地檢測(cè)? 要回答這些問(wèn)題實(shí)在不容易

          以求解決問(wèn)題,一些晶體工程師嘗試設(shè)計(jì)了一個(gè)方法:測(cè)試晶體于不同的激勵(lì)電平的電阻之比例,而非電阻變化的絕對(duì)值。


          這種測(cè)量的方法是比較晶體的電阻比例和晶體的頻率比例,關(guān)系是:

          γ12 = (第一次測(cè)試的等值串聯(lián)電阻/第二次測(cè)試的等值串聯(lián)電阻)令設(shè)定限度
          γ13 = (第一次測(cè)試的等值串聯(lián)電阻/第三次測(cè)試的等值串聯(lián)電阻)令設(shè)定限度
          (第一次測(cè)試的Fr一第二次測(cè)試的Fr ) 設(shè)定限度
          (第一次測(cè)試的Fr一第三次測(cè)試的Fr ) 設(shè)定限度

          亦有一些工程師修改了上述的方法,采用了在最大、最小激勵(lì)電平之間,多個(gè)測(cè)試點(diǎn)的晶體電阻和頻率的變化比。

          詳情請(qǐng)參看國(guó)際電工委員會(huì)IEC 444-6號(hào)文件。

          這類(lèi)方法至今仍在晶體行業(yè)中試用,研究及討論,但至今仍米有定論到底那一種規(guī)格/方法是最終以及最好。

          更復(fù)雜的是軍)Il及民)Il晶體對(duì)品質(zhì)及成本的要求都不一樣,較難厘定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。

          KH1200兀網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)可以提供一個(gè)比較方便的)Il戶界面,給晶體工程師提供研究這些方法的手段。

          I.“睡覺(jué)”晶體的定義——“睡覺(jué)”和的關(guān)系

          民用晶體的頻率和電阻隨激勵(lì)的變化而變化是避免不了的。有些比較小,比如小于1歐姆;有些變化則較大,比如:幾百、幾千歐姆,甚至乎在專(zhuān)用的晶體測(cè)量?jī)x器上都不振蕩或是不穩(wěn)定“Unstable。



          究竟不好的晶體會(huì)否“睡覺(jué)”呢?又或DLD有多差勁才會(huì)“睡覺(jué)”呢?還是,其它……?

          粗略而言,“睡覺(jué)”晶體可定義為晶體有不重復(fù)的DLD特性而又在應(yīng)用的振蕩線路內(nèi)不能工作于:

          振蕩線路正常工作時(shí)的激勵(lì)電平,或低于正常工作的激勵(lì)電平五至十倍的電平。

          這個(gè)定義,在原理上是對(duì)的,但較依賴每一應(yīng)用線路,故較難令所有晶體用戶明自。

          遺憾的是在晶體行業(yè),仍未有對(duì)一個(gè)清楚的定義。作為晶體測(cè)量?jī)x器的制造商,科研公司將盡力提供好的儀器助您分析問(wèn)題。KH-1200兀網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)釗一對(duì)DLD問(wèn)題采111了最好測(cè)量算法,以助這類(lèi)問(wèn)題的解決。

          J.晶體的測(cè)量

          基于上述對(duì)晶體DLD的不可重復(fù)特性的分析討論,在測(cè)試晶體時(shí),應(yīng)注意以下的問(wèn)題:

          a. DLD的測(cè)試:

          為了消除測(cè)量?jī)x器誤差帶來(lái)的影響:
          不要測(cè)試DLD-dFL>或DLD-dRL…等等。
          晶體低于100 MHz時(shí),測(cè)試DLD-d
          Fr,和DLD-dRr,和
          晶體高于100 MHz或以上時(shí),測(cè)試DLD-dFs,和DLD-dRs

          b. 復(fù)測(cè)以檢驗(yàn)測(cè)試結(jié)果(包括所有其它參數(shù)):

          當(dāng)重新再次測(cè)量晶體的結(jié)果來(lái)復(fù)檢,請(qǐng)留意晶體在第一次測(cè)試時(shí),可能己被激活。最好將晶體放幾天再重新測(cè)試。

          C 不良品分析:

          當(dāng)進(jìn)行不良品分析時(shí),應(yīng)注意“老化率”差的晶體其參數(shù)也會(huì)隨時(shí)間的變化而變化。但是,“老化率”不好的晶體,是不會(huì)有被外界作用而激活的現(xiàn)象。有些晶體可能不好的原因可能有兩種情況:一是老化性能差;一是晶體DLD性能差。

          d. Fs穩(wěn)定”,F(xiàn)L不穩(wěn)定”的晶體:

          有些晶體當(dāng)測(cè)試FL時(shí),Unstable,但是,當(dāng)測(cè)試Fs或Fr時(shí),有能夠穩(wěn)定振蕩。這類(lèi)情況大都是晶體的DLD問(wèn)題。當(dāng)遇到這類(lèi)問(wèn)題,可用KH1200的DLD圖形掃描功能,便可得到這類(lèi)晶體的DLD特性(注意以上的b點(diǎn))。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/194473.htm
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