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          一種高精度測(cè)量微小電容的電路

          作者: 時(shí)間:2011-04-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:提出了一種、低成本的方法。該方法采用差動(dòng)式直流充電法微小,具有功耗低、體積小、分辨率高、刷新率高的特點(diǎn)。同時(shí)詳細(xì)闡述了的基本原理、具體實(shí)現(xiàn),并且通過(guò)測(cè)量固定驗(yàn)證了的性能。
          關(guān)鍵詞:電容傳感器;差動(dòng)式測(cè)量;直流充電

          0 引言
          電容式傳感器是將被測(cè)量的變化轉(zhuǎn)換成電容量變化的一種裝置。電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、分辨力高、工作可靠、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、可非接觸測(cè)量,及能在高溫、輻射和強(qiáng)烈振動(dòng)等惡劣條件下工作等優(yōu)點(diǎn),并且已在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
          微小電容測(cè)量必須滿足動(dòng)態(tài)范圍大、測(cè)量靈敏度高、低噪聲、抗雜散性等要求。電容式傳感器輸出的電容信號(hào)往往很小(1fF~10 pF),又存在傳感器及其連接導(dǎo)線雜散電容和寄生電容的影響,這對(duì)電容信號(hào)的測(cè)量電路提出了非常高的要求,如此微小的電容信號(hào)的測(cè)量成為電容式傳感器技術(shù)發(fā)展的瓶頸。
          本文提出一種恒流源充電法對(duì)兩個(gè)微小電容進(jìn)行充電檢測(cè)的方法。本設(shè)計(jì)僅由單片機(jī)和少數(shù)芯片即可以實(shí)現(xiàn)電容的,高頻率測(cè)量。由于采用了差動(dòng)式測(cè)量,本設(shè)計(jì)可以有效地減小非線性誤差,提高傳感器靈敏度,減少干擾,減少寄生電容的影響。若選用高性能模擬開(kāi)關(guān)能大大減小電荷注入效應(yīng)的影響。在檢測(cè)0~5 pF的實(shí)驗(yàn)中,采樣頻率可以達(dá)到100 kHz,有效精度位最高可達(dá)12位。

          1 原理分析
          實(shí)現(xiàn)測(cè)量的電路原理如圖1所示,其完整的測(cè)量過(guò)程是:?jiǎn)纹瑱C(jī)控制模擬開(kāi)關(guān)K1,K2斷路,標(biāo)準(zhǔn)電容Cl和待測(cè)電容C2由相同的兩個(gè)恒流源I1和I2進(jìn)行充電;在相同的時(shí)間T1內(nèi),電容C1、C2的充電電壓為U1、U2。由電容基本公式b.JPG可得:
          c.JPG

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/195000.htm

          a.JPG


          令△U=U1-U2,則電壓差△U經(jīng)過(guò)放大后,通過(guò)MSP430單片機(jī)的AD轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行轉(zhuǎn)換,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的同時(shí),單片機(jī)控制K1、K2閉合,在T2時(shí)間內(nèi),使C1,C2兩端的短路,兩電容兩端電壓降到零,此時(shí)完成放電過(guò)程。
          至此,一次完整的采樣過(guò)程結(jié)束,充放電時(shí)序見(jiàn)圖2。

          d.JPG


          在整個(gè)過(guò)程中,單片機(jī)要產(chǎn)生一個(gè)頻率為100 kHz,占空比為90%的PWM波,用以控制K1、K2的通斷,還要以(T1+T2)的周期完成AD變換和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其中,T1的最大值小于充電時(shí)間,T2的最小值大于放電時(shí)間。

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