氧化鋅壓敏電阻器的原理應用

壓敏電阻是中國大陸的名詞，意思是在一定電流電壓范圍內電阻值隨電壓而變，或者是說電阻值對電壓敏感的阻器。相應的英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”。

　　壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。現在大量使用的氧化鋅(ZnO)壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素(Zn)和六價元素氧(O)所構成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體”。

　　在中國臺灣，壓敏電阻器是按其用途來命名的，稱為突波吸收器。壓敏電阻器按其用途有時也稱為“電沖擊(浪涌)抑制器(吸收器)”。

　　一、氧化鋅壓敏電阻器微觀結構及特性

　　氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。它的微觀結構如圖1所示。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質而呈N型半導體，晶界物質中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài)，這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘，整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯的組合體。圖2是壓敏電阻器的等效電路。

　　氧化鋅壓敏電阻器的典型V-I特性曲線如圖3所示：

　　預擊穿區(qū)：在此區(qū)域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發(fā)電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻 (Rb遠大于Rg)，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

　　擊穿區(qū)：壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時，其導電屬于隧道擊穿電子電導機理(Rb與Rg相當)，其伏安特性呈優(yōu)異的非線性電導特性，即：