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          基于汽車環(huán)境的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2009-09-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          A1、A2、A3分別是NPN晶體管VN1,VN2,VN3的發(fā)射極面積,且AA:A2:A3=1:P:Q(P與Q為常量),由式(1)可知:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/197805.htm


          式中:k為玻耳茲曼常數(shù),k=1.380x10-23J/K;T為溫度;q為電子電量;q=1.602x10-19C。

          式(7)的前兩項(xiàng)為與絕對溫度(PTAT)成正比的電流,設(shè)IPTAT,傳統(tǒng)基準(zhǔn)只用該電流補(bǔ)償U(kuò)BE,而改進(jìn)后的電路的VN3、R3可生成非線性部分電流INL,即式(7)的最后一項(xiàng),可有效補(bǔ)償U(kuò)BE的非線性部分,以達(dá)到較好的溫度特性,所以:


          式中,n為常數(shù),與晶體管的制作工藝有關(guān),n=1.5~2.2。
          電路上電后,VN9和VN8構(gòu)成的BE結(jié)二極管可使NN10的基極箝位于1.4V。VNl0導(dǎo)通,電流由VCC通過VN10灌入VN1、VN2和VN3的基極,這三個(gè)晶體管導(dǎo)通,從而降低啟動管功耗。基準(zhǔn)電源電壓工作后,提高VN10的發(fā)射極電平,VN10關(guān)斷。
          4.2 布局設(shè)計(jì)
          由于的特殊性,要求電路板布局嚴(yán)格,整體電路采用上海貝嶺2μm 40 V Bipolar工藝。雙極性工藝要比MOS工藝穩(wěn)定得多,通常被擊穿和損壞率較低,抗輻射和干擾能力較強(qiáng)。在布局時(shí),應(yīng)重點(diǎn)注意噪聲干擾和調(diào)試準(zhǔn)確性,應(yīng)緊鄰電源和地線,并且地線應(yīng)與其他模塊地線分開單獨(dú)設(shè)置,這樣可避免兩條地線產(chǎn)生的紋波疊加。3個(gè)小尺寸測試壓焊塊的兩側(cè)連接多個(gè)電阻,可通過燒斷其間的金屬絲來測試實(shí)際器件的輸出值,這就為器件的準(zhǔn)確調(diào)試提供了方便。

          5 仿真結(jié)果
          使用Cadence spectre分別仿真電路的溫度掃描和電源變化分析,由于參數(shù)計(jì)算結(jié)果與仿真模型存在誤差,仿真時(shí)應(yīng)適當(dāng)調(diào)節(jié),保證正常輸出基準(zhǔn)電壓。如圖4所示,當(dāng)溫度從一50℃~150℃變化時(shí),UREF從1.260 3 V變化至1.265 2 V,最大變化量為4.9 mV,溫度系數(shù)為24 ppm/℃,而普通的一階補(bǔ)償?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/帶隙基準(zhǔn)">帶隙基準(zhǔn)的溫度系數(shù)大于30 ppm/℃,因此,該改進(jìn)后的電路性能有較大的改善。
          27℃時(shí),當(dāng)電源電壓(U)在5~16 V變化,UREF變化范圍為1.264 60~1.264 97 V,變量為0.37 mV,UREF的電源抑制特性曲線如圖5所示。

          6 結(jié)語
          在分析傳統(tǒng)帶運(yùn)算放大器的的基礎(chǔ)上,應(yīng)用曲率補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)一種適用于車載電子的帶隙基準(zhǔn)電壓源,該電路采用雙極性工藝,結(jié)構(gòu)簡單新穎,集成度高且可移植性強(qiáng)。通過Cadence Spectre仿真結(jié)果顯示,該電路可在寬泛
          的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定輸出,隨溫度變化其變化率只有24 ppm/℃,電源抑制性好.抗干擾能力強(qiáng),完全符合汽車電子標(biāo)準(zhǔn)。


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