武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)

　　12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長(zhǎng)兼總裁王繼增先生。

　　據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國(guó)以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目，是國(guó)家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存儲(chǔ)類邏輯芯片，包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)，閃存(FLASH)等，這些產(chǎn)品是各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品的核心部件廣泛應(yīng)用于如計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP4、數(shù)字家電、手機(jī)、顯示器等領(lǐng)域。半導(dǎo)體作為國(guó)家戰(zhàn)略部署產(chǎn)業(yè)，武漢新芯受惠于國(guó)家政策以及資金的支持。

　　王繼增先生在采訪中表示，新芯目前積極同國(guó)內(nèi)微電所、知名院校進(jìn)行合作，布局尖端的技術(shù)領(lǐng)域。同時(shí)表達(dá)出愿與行業(yè)上下同仁，共同打造產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境。

　　全球應(yīng)用NOR閃存技術(shù)的產(chǎn)量保持在35億到40億的規(guī)模，由于在低容量市場(chǎng)收到廉價(jià)NAND器件的沖擊，所以其市場(chǎng)容量近一年下降了近10%，新芯會(huì)將產(chǎn)量維持在定量生產(chǎn)。其中45nm技術(shù)已做到8G，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　對(duì)于公司未來的發(fā)展，王繼增先生指出，在OEM代工市場(chǎng)，中芯國(guó)際等企業(yè)已經(jīng)達(dá)到較高的發(fā)展水平，新芯將走差異化的發(fā)展，在分析國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)之后，發(fā)現(xiàn)3DNOR技術(shù)封裝將是未來發(fā)展的重點(diǎn)方向，集成電路在技術(shù)研發(fā)中，會(huì)發(fā)現(xiàn)伴隨著芯片的壓縮，其成本會(huì)大幅度提高。2015年3DNOR將替代2DNOR實(shí)現(xiàn)高速發(fā)展水平。

　　從全球來看，3DNOR市場(chǎng)還在起步階段，目前只有三星產(chǎn)出樣品，新芯將在此項(xiàng)技術(shù)加大投入，決心成為中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)。3DNOR的發(fā)展相比芯片萎縮會(huì)節(jié)約大量的成本，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求占據(jù)全球近半數(shù)，在保證45nm技術(shù)的同時(shí)，進(jìn)行3d技術(shù)提升，并將揉合mobilerom設(shè)計(jì)，伴隨著終端設(shè)備功能的不斷完善，對(duì)芯片的需要也逐年增加，技術(shù)要求也增強(qiáng)。新芯的目標(biāo)打造ISM(集成次系統(tǒng)組件)制造商，進(jìn)行自有存儲(chǔ)品牌生產(chǎn)。