一起由于電磁干擾造成斷路器誤合閘的事故分析

由于快速瞬變脈沖群的頻率很高，達到100MHz，此時光耦器件的高頻等效電路如圖2所示。一般廠家僅給出光耦器件的原、副方之間的電容(圖2中C1)的值，如TLP121光耦器件的電容值為0.8 pF。事實上，光耦器件的原方與副方接收三極管基極之問存在雜散電容(圖2中C2)。

高頻瞬變騷擾在光耦器件構成的開入量輸入回路中傳輸途徑為：幅值極高的瞬變騷擾信號一光耦原方一原方與副方三極管基極之間的電容C2一副

方三極管的基極一集電極一電容C3，C4一大地，致使接收三極管導通，造成光耦器件誤翻轉，這就是光耦器件在快速瞬變脈沖群干擾下產生“瞬態(tài)飽和” 的根本原因。

4 改進辦法

通過上述分析可以斷定，這次開關誤合閘是由于電磁十擾通過光耦元件竄入同期開入同路造成的，雖然具體的干擾源無法確定，但是測控裝置的

同期開入確認時間只有4 ms，這是明 偏短的。另外對測控裝置的同期開入回路做開入電壓測量試驗時發(fā)現(xiàn)，同期CPU板雖然采用24 V作為正常

開入電壓，但是我們外加4 V電壓時，同期開入就會動作，這個電壓門檻也明顯偏低。

調試人員又做過多次遙控合閘和手動合閘試驗，遙控合閘時同期開入從動作到返回時間同定為120 ms，這個時間是由測控裝置整定的;手動合閘

時同期開入從動作到返回時間就是人為操作6SA合閘過程的持續(xù)時間，這個時問每次都大于200 ms。

為了提高測控裝置同期開入的抗干擾能力，在跟廠家技術人員共同研究后，決定首先把同期開入動作電壓提高至24 V的55%～7()%，然后把同期

開入確認時間調整為8()ms，保證在同期合閘時有5()%的裕度。經過這樣調整后，開關沒有再發(fā)生誤合閘。

5 結束語

變電站的電磁干擾無處不在，微機化二次設備的抗干擾能力是衡量其性能好壞的一個重要指標，因此就要求制造廠家在提高設備抗干擾方面多做考

慮。硬件方面要選用質量好、抗干擾能力強的芯片，軟件方面不能一味追求動作速度快，要在速度和可靠性之問找好平衡點。